دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 118548
ترجمه فارسی عنوان مقاله

استحکام میکرواسترکز باقی مانده در کاربید سیلیکون واکنش

عنوان انگلیسی
Relaxation of residual microstress in reaction bonded silicon carbide
کد مقاله سال انتشار تعداد صفحات مقاله انگلیسی ترجمه فارسی
118548 2018 27 صفحه PDF سفارش دهید
دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Ceramics International, Volume 44, Issue 10, July 2018, Pages 11745-11750

ترجمه کلمات کلیدی
کامپوزیت سیلیکون کاربید، سیلیکون،
کلمات کلیدی انگلیسی
Composites; Silicon Carbide; Silicon;
ترجمه چکیده
خنک سازی با دمای بالا میکرو استرس باقی مانده در فاز سیلیکون و کاربید سیلیکون را در واکنش یکپارچه واکنش سیلیکون کاربید و در ماتریس کامپوزیت های ذوب ناپایدار کاربید سیلیکون تقویت شده با فیبرهای کاربید سیلیکون را کاهش می دهد. استراحت آرامش مربوط به خزش کربید سیلیکون با شاخص قدرت خزش حالت شبیه به خزش کششی در واکنش سیلیکون کاربید اتصال است.
ترجمه دقیق تری نیاز دارید؟ سفارش دهید
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله استحکام میکرواسترکز باقی مانده در کاربید سیلیکون واکنش

چکیده انگلیسی

High temperature annealing reduces the residual microstress in the silicon phase and silicon carbide phase in monolithic reaction bonded silicon carbide and in the matrix of melt-infitrated composites of silicon carbide reinforced with silicon carbide fibers. Stress relaxation is related to creep of the silicon carbide with power-law creep exponents similar to tensile creep in reaction bonded silicon carbide.

دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.