دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 140421
کد مقاله سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی تعداد کلمات
140421 2018 10 صفحه PDF سفارش دهید 7628 کلمه
دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه

هزینه ترجمه مقاله بر اساس تعداد کلمات مقاله انگلیسی محاسبه می شود.

این مقاله شامل 7628 کلمه می باشد.

نسخه انگلیسی مقاله همین الان قابل دانلود است.

هزینه ترجمه مقاله توسط مترجمان با تجربه، طبق جدول زیر محاسبه می شود:

شرح تعرفه ترجمه زمان تحویل جمع هزینه
ترجمه تخصصی - سرعت عادی هر کلمه 10 تومان 14 روز بعد از پرداخت 76,280 تومان
ترجمه تخصصی - سرعت فوری هر کلمه 20 تومان 7 روز بعد از پرداخت 152,560 تومان
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
عنوان انگلیسی
Bias temperature instability in scaled CMOS technologies: A circuit perspective
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Microelectronics Reliability, Volume 81, February 2018, Pages 31-40

پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله

چکیده انگلیسی

Bias temperature instability has impacted scaling of conventional poly-Si/SiON CMOS technologies and remains a critical device reliability mechanism for metal gate/high-k stacks in planar and FinFET device architecture. The material and modeling aspects have been extensively studied using discrete MOSFETs and more recently expanded to CMOS circuits to demonstrate its impact on digital circuit aging. In this paper we summarize our understanding of the BTI mechanism in scaled CMOS technologies and discuss the correlation between discrete device degradation and circuit/SRAM aging.

دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه

هزینه ترجمه مقاله بر اساس تعداد کلمات مقاله انگلیسی محاسبه می شود.

این مقاله شامل 7628 کلمه می باشد.

نسخه انگلیسی مقاله همین الان قابل دانلود است.

هزینه ترجمه مقاله توسط مترجمان با تجربه، طبق جدول زیر محاسبه می شود:

شرح تعرفه ترجمه زمان تحویل جمع هزینه
ترجمه تخصصی - سرعت عادی هر کلمه 10 تومان 14 روز بعد از پرداخت 76,280 تومان
ترجمه تخصصی - سرعت فوری هر کلمه 20 تومان 7 روز بعد از پرداخت 152,560 تومان
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.