دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 140421
کد مقاله سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی تعداد کلمات
140421 2018 10 صفحه PDF سفارش دهید 7628 کلمه
خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
عنوان انگلیسی
Bias temperature instability in scaled CMOS technologies: A circuit perspective
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Microelectronics Reliability, Volume 81, February 2018, Pages 31-40

پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله

چکیده انگلیسی

Bias temperature instability has impacted scaling of conventional poly-Si/SiON CMOS technologies and remains a critical device reliability mechanism for metal gate/high-k stacks in planar and FinFET device architecture. The material and modeling aspects have been extensively studied using discrete MOSFETs and more recently expanded to CMOS circuits to demonstrate its impact on digital circuit aging. In this paper we summarize our understanding of the BTI mechanism in scaled CMOS technologies and discuss the correlation between discrete device degradation and circuit/SRAM aging.

خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.