دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 140427
عنوان انگلیسی
Effect of fin shape of tapered FinFETs on the device performance in 5-nm node CMOS technology
کد مقاله سال انتشار تعداد صفحات مقاله انگلیسی ترجمه فارسی
140427 2018 6 صفحه PDF سفارش دهید
دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه

نسخه انگلیسی مقاله همین الان قابل دانلود است.

هزینه ترجمه مقاله بر اساس تعداد کلمات مقاله انگلیسی محاسبه می شود.

این مقاله تقریباً شامل 3466 کلمه می باشد.

هزینه ترجمه مقاله توسط مترجمان با تجربه، طبق جدول زیر محاسبه می شود:

شرح تعرفه ترجمه زمان تحویل جمع هزینه
ترجمه تخصصی - سرعت عادی هر کلمه 12 تومان 9 روز بعد از پرداخت 41,592 تومان
ترجمه تخصصی - سرعت فوری هر کلمه 24 تومان 5 روز بعد از پرداخت 83,184 تومان
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Microelectronics Reliability, Volume 83, April 2018, Pages 254-259

پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله

چکیده انگلیسی

In this paper, we investigate the impact of fin-shape, dimension, and geometry of tapered FinFET with 5-nm node (N5) technology using TCAD simulation. Fixed gate length (LG) of 9 nm, spacer length (LSP) of 7 nm, and bottom fin-width (FWB) of 6 nm were used. The other parameters, such as top fin-width (FWT) and fin-height (FH) were modulated to see the impact on the electrical characteristic and physical behaviors of the device. The simulation results show that increasing FH can enhance the saturation current (ISAT) effectively. However, the threshold voltage (VTH) will suffer so much. In addition, a higher FH means that a larger aspect ratio, thus it is not easy to fabricate in the manufacturing process. On the other hand, the saturation current can be improved by widening FWB. Nevertheless, it may not be a good choice because a wider FWB lets a larger cross-section device area for epitaxy source and drain. Tuning FWT may be the best choice to have a current gain. Additional 1 nm FWT can enhance approximately 30% of the saturation current. Moreover, the VTH has no significant impact and it is good for source-drain epitaxy. By careful control of FH and FWT, the device performance can be predicted very well. As the results, Moore's law still can work even in N5 CMOS technology.

دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه

نسخه انگلیسی مقاله همین الان قابل دانلود است.

هزینه ترجمه مقاله بر اساس تعداد کلمات مقاله انگلیسی محاسبه می شود.

این مقاله شامل 3466 کلمه می باشد.

هزینه ترجمه مقاله توسط مترجمان با تجربه، طبق جدول زیر محاسبه می شود:

شرح تعرفه ترجمه زمان تحویل جمع هزینه
ترجمه تخصصی - سرعت عادی هر کلمه 12 تومان 9 روز بعد از پرداخت 41,592 تومان
ترجمه تخصصی - سرعت فوری هر کلمه 24 تومان 5 روز بعد از پرداخت 83,184 تومان
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.