دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 140484
کد مقاله سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی تعداد کلمات
140484 2017 6 صفحه PDF سفارش دهید 2626 کلمه
خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
عنوان انگلیسی
Study of Bias-Temperature Instability in HfO2 sputtered Thin Films by Post Nitrogen Annealing for the Advanced CMOS Technology
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Materials Today: Proceedings, Volume 4, Issue 8, 2017, Pages 9224-9229

پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله

چکیده انگلیسی

This paper presents a study on Negative bias temperature instability (NBTI) on high-k HfO2 sputtered thin films annealed in oxygen and nitrogen ambient. Activation energies for interface, oxide-trap charge and switching states densities for each oxygen and nitrogen ambient annealed devices is estimated from capacitance-voltage measurements versus temperature characteristics. It is found in the range 0.13eV-0.16eV for oxygen annealed sample and 0.47eV – 0.7eV for nitrogen annealed sample. Nitrogen annealed sample shows higher activation energy and low traps charge densities.

خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.