دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 140484
عنوان انگلیسی
Study of Bias-Temperature Instability in HfO2 sputtered Thin Films by Post Nitrogen Annealing for the Advanced CMOS Technology
کد مقاله سال انتشار تعداد صفحات مقاله انگلیسی ترجمه فارسی
140484 2017 6 صفحه PDF سفارش دهید
دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه

نسخه انگلیسی مقاله همین الان قابل دانلود است.

هزینه ترجمه مقاله بر اساس تعداد کلمات مقاله انگلیسی محاسبه می شود.

این مقاله تقریباً شامل 2626 کلمه می باشد.

هزینه ترجمه مقاله توسط مترجمان با تجربه، طبق جدول زیر محاسبه می شود:

شرح تعرفه ترجمه زمان تحویل جمع هزینه
ترجمه تخصصی - سرعت عادی هر کلمه 12 تومان 8 روز بعد از پرداخت 31,512 تومان
ترجمه تخصصی - سرعت فوری هر کلمه 24 تومان 4 روز بعد از پرداخت 63,024 تومان
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Materials Today: Proceedings, Volume 4, Issue 8, 2017, Pages 9224-9229

پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله

چکیده انگلیسی

This paper presents a study on Negative bias temperature instability (NBTI) on high-k HfO2 sputtered thin films annealed in oxygen and nitrogen ambient. Activation energies for interface, oxide-trap charge and switching states densities for each oxygen and nitrogen ambient annealed devices is estimated from capacitance-voltage measurements versus temperature characteristics. It is found in the range 0.13eV-0.16eV for oxygen annealed sample and 0.47eV – 0.7eV for nitrogen annealed sample. Nitrogen annealed sample shows higher activation energy and low traps charge densities.

دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه

نسخه انگلیسی مقاله همین الان قابل دانلود است.

هزینه ترجمه مقاله بر اساس تعداد کلمات مقاله انگلیسی محاسبه می شود.

این مقاله شامل 2626 کلمه می باشد.

هزینه ترجمه مقاله توسط مترجمان با تجربه، طبق جدول زیر محاسبه می شود:

شرح تعرفه ترجمه زمان تحویل جمع هزینه
ترجمه تخصصی - سرعت عادی هر کلمه 12 تومان 8 روز بعد از پرداخت 31,512 تومان
ترجمه تخصصی - سرعت فوری هر کلمه 24 تومان 4 روز بعد از پرداخت 63,024 تومان
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.