دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 140490
کد مقاله سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی تعداد کلمات
140490 2018 6 صفحه PDF سفارش دهید 4120 کلمه
خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
عنوان انگلیسی
Physics-based modeling of TID induced global static leakage in different CMOS circuits
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Microelectronics Reliability, Volume 84, May 2018, Pages 181-186

پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله

چکیده انگلیسی

Compact modeling of inter-device radiation-induced leakage underneath the gateless thick STI oxide is presented and validated taking into account CMOS technology and hardness parameters, dose-rate and annealing effects, and dependence on electric modes under irradiation. It was shown that proposed approach can be applied for description of dose dependent static leakage currents in complex FPGA circuits.

خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.