دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 140675
کد مقاله سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی تعداد کلمات
140675 2018 10 صفحه PDF سفارش دهید 5811 کلمه
خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
عنوان انگلیسی
A 65 nm linear broad-band differential Low Noise Amplifier using post distortion technique
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Microelectronics Journal, Volume 74, April 2018, Pages 24-33

پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله

چکیده انگلیسی

The paper describes the design of a differential broadband LNA covering the frequency range from 800 MHz to 5 GHz in 65 nm CMOS technology. The work proposes a novel linearization technique for high-frequency wide-band applications using an active feedback as post-distortion. The technique is applied to a wide-band differential common gate (CG) LNA employing noise cancelation method. Post-layout simulations exhibit that the proposed technique increases IIP3 and P1dB considerably to +11.9 and +1 dBm, respectively at 1.8 GHz. The LNA achieves voltage gain of 13.7–13.9 dB, noise figure of 3–3.28 dB, and S11 less than −10 dB, while consuming only 16.5 mW. The layout schematic occupies 0.515 × 0.220 mm2 of chip area.

خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.