دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 147233
عنوان انگلیسی
Efficiency enhancement of blue light emitting diodes by eliminating V-defects from InGaN/GaN multiple quantum well structures through GaN capping layer control
کد مقاله سال انتشار تعداد صفحات مقاله انگلیسی ترجمه فارسی
147233 2018 28 صفحه PDF سفارش دهید
دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Applied Surface Science, Volume 439, 1 May 2018, Pages 1127-1132

پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله

چکیده انگلیسی

A facile method for fabricating blue light-emitting diodes (B-LEDs) with small embedded quantum dots (QDs) and enhanced light emission is demonstrated by tuning the temperature of the growing GaN capping layer to eliminate V-defects. As the growth temperature increases from 770 °C to 840 °C, not only does the density of the V-defects reduce from 4.12 ∗ 108 #/cm2 nm to zero on a smooth surface, but the QDs also get smaller. Therefore, the growth mechanism of smaller QDs assisted by elimination of V-defects is discussed. Photoluminescence and electroluminescence results show that smaller embedded QDs can improve recombination efficiency, and thus achieve higher peak intensity with smaller peak broadening. Accordingly, the external quantum efficiency of the B-LEDs with smaller QDs is enhanced, leading to a 6.8% increase in light output power in lamp-form package LEDs.

دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.