دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 29534 + ترجمه فارسی
عنوان فارسی مقاله

ساخت ترانزیستورهای اثرات میدانی نانولوله های کربنی به روش دی الکتروفورسیز AC

کد مقاله سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی
29534 2004 5 صفحه PDF 5 صفحه WORD
خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
عنوان انگلیسی
Fabrication of carbon nanotube field effect transistors by AC dielectrophoresis method
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Carbon, Volume 42, Issue 11, 2004, Pages 2263–2267

فهرست مطالب ترجمه فارسی
چکیده
مقدمه
رسوب نانولوله های کربنی
فرآیند تفکیک لوله متالیکی
نتایج و بحث و بررسی
نتیجه گیری
کلمات کلیدی
() - لوله نانو کربنی - نیروی ماکروسکپی اتمی - خصوصیات الکتریکی
ترجمه چکیده
نانولوله های کربنی تک جداره (SWNTs) معلق در الکل ایزوپروپیل بین دو الکترود به روش در الکتروفورسیز AC جای گرفته اند. تعداد SWNTهای اتصال دهنده دو الکترود توسط غلظت SWNT معلق و زمان رسوب کنترل می شود. از طریق احتراق انتخابی SWNT متالیک با اکسیداسیون حاصل شده جریان، نانولوله های کربنی بازگشت به گیت موجب اثرگذاری بر ترانزیستورها (CNTFET) با جریان کانالی نسبت روشن – خاموش بیش از شده و بطور موفقیت آمیز ساخت آن را در پی داشته اند. میزان موفقیت CNTFET ها در 20 نمونه برابر 60 درصد است. این نتایج نشان می دهد که روش جاگذاری دی الکتروفورسیز AC یک تکنیک کارآمد برای ساخت CNTFET با انعطاف پذیری کنترل اتصال مجدد CNT، طول و جهت آن می باشد.
ترجمه مقدمه
نانولوله های کربنی تک جداره عبارت از سیستم ایده آل تک بُعدی می باشند چرا که قطر کوچک و طول زیاد دارند. ساختار تک بُعدی آنها موجب می شود تا الکترون ها فقط در دو جهت حرکت بکنند که منجر به کاهش فضای فازی برای پروسه های پراکنش می شود. در غیاب این پروسه، انتقال صورت گرفته بالیستیکی خواهد بود که موجب می شود تا نانولوله های کربن به مثابه ابزاری ایده آل و میکروالکترونیکی به ویژه برای ترانزیستورهای اثرات میدانی محسوب شود. از آنجایی که دسته اول ترانزیستورهای اثرات میدانی CNT در سال 1998 ساخته شد عملکرد آنها بطور قابل توجهی در ابعاد جریان کانال CNT و تماس های الکترودی بهبود داشته است. هر چند چگونگی شبه رسانایی انتخابی مکان SWNTها در جایگاه های مطلوب هنوز حل نشده است. در حال حاضر دو روش بطور کلی برای ساخت ابزار CNTFET بکار می رود. روش اول عبارت از معلق چرخش – پوششی SWNT در وافرهای ساختار یافته می باشد. هر چند توزیع اتفاقی SWNTها در این وافرها عیب اصلی این روش است. روش دوم عبارت از رشد SWNT ها در امتداد سطح وافر برای اتصال الکترودهای مطلوب می باشد. عیب اصلی این تکنیک عبارت از آلودگی کاتالیست و انتخاب ضعیف SWNT می باشد. اخیراً روش های الکتروفورسیز DC و AC نیز توجه بسیاری را به خود جلب نموده که به عنوان روشی کارآمد برای ته نشست تعداد وسیعی از CNTها، ورقه های میت SWNT و تک پیوندی با جهت مشخص محسوب می شود. اخیراً نیز طی مطالعاتی ته نشست بسته های مجزا بطور همزمان در آرایه های از الکترودها گزارش شده است. هر چند به استثنای نتایج کروپکه و همکاران، موارد بدست آمده در وکیوم هیچ گزارش دیگری در مورد ساخت CNTFETها با استفاده از روش دی الکتروفورسیز وجود نداشته است.
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله ساخت ترانزیستورهای اثرات میدانی نانولوله های کربنی به روش دی الکتروفورسیز AC

چکیده انگلیسی

Single wall carbon nanotubes (SWNTs) suspended in isopropyl alcohol have been placed between two electrodes by AC dielectrophoresis method. The number of SWNTs bridging the two electrodes is controlled by SWNT concentration of the suspension and deposition time. Through selectively burning off the metallic SWNTs by current induced oxidation, the back-gate carbon nanotube field effect transistors (CNTFETs) with a channel current on–off ratio of up to 7 × 105 have been successfully fabricated. The success rate of the CNTFETs in 20 samples is 60%. These results suggest that AC dielectrophoresis placement method is an efficient technique to fabricate CNTFETs with some flexibilities of controlling CNT reconnection, length and orientation.

مقدمه انگلیسی

Single wall carbon nanotubes (SWNTs) are an ideal one-dimensional (1D) system because of their small diameter (of the order of 1 nm) and great length (of the order of micrometer). The 1D structure allows electrons to move in only two directions, leading to a reduced ‘‘phase space’’ for scattering processes [1]. In the absence of scattering, the transport is ballistic, which makes the carbon nanotube an ideal microelectronic device material, especially for field effect transistors (FETs). Since the first batch of CNT field effect transistors (CNTFETs) [2,3] were fabricated in 1998, their performance has been significantly improved in aspects of CNT channel current on–off ratio [4,5], hole mobility [6] and the CNT–metal electrode contacts [5]. However, how to selectively place semiconducting SWNTs in desirable locations is not solved. At present, two methods are generally used for CNTFET device fabrication. The first is to spin-coat SWNT suspension onto structured wafers [2,3,7,8]. However, the random distribution of SWNTs over the wafers is the major drawback of this method.

نتیجه گیری انگلیسی

Single wall carbon nanotubes (SWNTs) are controllably placed between electrodes by AC dielectrophoresis method. Using the current-induced burn-off process, metallic SWNTs are easily broken down. The residual semiconducting SWNTs act as p-type channels of the CNTFETs, which have an on/off current ratio as high as 7 · 105. This technique provides a high success rate of fabricating CNTFETs with a flexibility of controlling the CNT alignment direction and the CNT length.

خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.