دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 43493
عنوان فارسی مقاله

مطالعه شبیه سازی تحرک الکترون در ترانزیستورهای اثر میدانی عایق فلزی نیمه رسانا MoS2 چندلایه ای

کد مقاله سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی تعداد کلمات
43493 2015 5 صفحه PDF سفارش دهید محاسبه نشده
خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
عنوان انگلیسی
Simulation study of the electron mobility in few-layer MoS2 metal–insulator-semiconductor field-effect transistors
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Solid-State Electronics, Volume 114, December 2015, Pages 30–34

کلمات کلیدی
تحرک - چند لایه - دستگاه های نیمه هادی
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله مطالعه شبیه سازی تحرک الکترون در ترانزیستورهای اثر میدانی عایق فلزی نیمه رسانا MoS2 چندلایه ای

چکیده انگلیسی

This work analyzes the electron mobility in few-layer MoS2-based metal–insulator-semiconductor field-effect transistors. To do it, the Poisson and Schrödinger equations are self consistently solved using the effective mass approximation to model the six equivalent ΛΛ valleys characteristic of multilayer MoS2. The mobility is calculated using the Kubo-Greenwood approach under the momentum relaxation time approximation. The influence of the semiconductor thickness, the temperature and the bias conditions are analyzed. A good agreement with the experimental results presented in the literature is achieved, with electron mobilities ranging between 140 and 200cm2V-1s-1 at T=300K.

خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.