دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 52861 + ترجمه فارسی
عنوان فارسی مقاله

تقویت‌کننده‌های ولتاژ پایین بهره بالا با بار خازنی بزرگ در فناوری CMOS با اندازۀ 90 نانومتری

کد مقاله سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی
52861 2015 6 صفحه PDF 15 صفحه WORD
خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
عنوان انگلیسی
Low-voltage high-gain large-capacitive-load amplifiers in 90-nm CMOS technology
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : AEU - International Journal of Electronics and Communications, Volume 69, Issue 3, March 2015, Pages 666–672

فهرست مطالب ترجمه فارسی
چکیده
کلیدواژه‌ها
1.مقدمه
2. ساختارهای تقویت‌کننده‌های ارائه شده
شکل1. تقویت‌کننده‌های بهره پایین امپدانس پایین برای مراحل واسط.
شکل2. دیاگرام بلوکی تقویت‌کنندۀ ارائه شده با تک‌خازن میلر و مسیرهای پیشخورد (SMF)
شکل3. دیاگرام بلوکی تقویت‌کنندۀ با بار سنگین ارائه شده با پسخورد فعال میلر (AMF)
  3.پاسخ AC و شرایط پایداری
شکل4. دیاگرام توزیع‌های صفر و قطب هدف برای (الف) قطب‌های مختلط و (ب) قطب‌های حقیقی. 
4. پیاده‌سازی مداری تقویت‌کننده‌ها
شکل5. پیاده‌سازی مداری تقویت‌کننده‌های ارائه شده. 
شکل6. طرح‌های تقویت‌کننده‌های محقق شده: (الف) SMF و (ب) AMF
 5. نتایج شبیه‌سازی و کاربردها
جدول یک : پارامتری داری و اندازه‌های تجهیز به کار رفته در شبیه‌سازی‌ها
شکل9. نتایج تحلیل مونت کارلو برای حاصلضرب بهره در پهنای باند و حاشیه فاز.
 جدول 2 : خلاصۀ عملکرد شبیه‌سازی.
جدول 3 : مقایسۀ تقویت‌کننده‌های مختلف چندمرحله‌ای.
شکل7. نتایج شبیه‌سازی برای پاسخ فرکانسی حلقه باز: (الف) SMf (CL = 150 pF) و (ب) AMF (CL=15nF)
شکل8. پاسخ گذرای شبیه‌سازی. 
شکل9. فیلتر مرتبه اول با استفاده از تقویت‌کنندۀ SMF.
شکل11. پاسخ دامنۀ فیلتر. 
شکل12. IP3 مربوط به فیلتر. 
نتیجه‌گیری
کلمات کلیدی
تقویت کننده های چند مرحله ای، تقویت کننده سه مرحله ای، جبران فرکانس، جبران تو در تو میلر، بازخورد فعال
ترجمه چکیده
در این مقاله تقویت‌کننده‌های عملیاتی نوع هدایت انتقالی چندمرحله‌ای ولتاژ پایین و توان پایین با تقویت بهرۀ موثر و جدید و طرح‌های جبرانسازی فرکانس ارائه می‌شود. تقویت‌کننده‌های نامبرده به منظور راه‌اندازی (درایو) بارهای خازنی بزرگ با مصرف کم توان در منابع تغذیۀ ولتاژ پایین طراحی شده‌اند. طرح‌های جبرانسازی از یک تک خازن میلر بهره برده و دارای یک پسخورد فعال جهت تشکیل حلقه‌های اصلی پسخورد منفی برای تقسیم قطب و دو مسیر پسخورد هستند. تکنیک جدید تقویت بهره که در اینجا بحث می‌شود با داشتن اثر ناچیز روی پاسخ فرکانسی موجب بهبود بهرۀ dc می‌شود. رویه‌های تحلیل و طراحی بحث شده و ارتقاء عملکرد این تقویت‌کننده‌ها به تایید می‌رسد. تقویت‌کننده‌های عملیاتی نوع هدایت انتقالی در یک فرایند CMOS با اندازۀ استاندارد 90 نانومتری پیاده‌سازی شده و نتایج شبیه‌سازی پُست لِی‌اوت گزارش می‌شود. این تقویت‌کننده‌ها در تغذیۀ 5/0 ولت، مصرف توانِ 7/8 میکرووات و 1/8 میکرووات دارند و موقع راه‌اندازی (درایو کردن) بارهای خازنی 150 پیکوفاراد و 15 نانوفاراد به ترتیب حاصلضرب بهره در پهنای باند برابر 65/12 مگاهرتز و 2 مگاهرتز را بدست می‌آورند.
ترجمه مقدمه
تقویت‌کننده‌های عملیاتی توان پایین برای کاربردهای متعدد و به خصوص برای تجهیزات الکترونیکی دستی با تغذیۀ باتری موردنیاز است. با کاهش مداوم مقیاس طول کانال ترانزیستورها در فناوری CMOS، سیستم‌های دیجیتال از یکپارچگی بهتر و سرعت بالاتر سود می‌برند. برای ذخیرۀ توان دینامیکی و کاهش پراکندگی ترانزیستورها، ولتاژهای تغذیه برای این مدارها نیز به طور مداوم کاهش مقیاس می‌یابد. برای سیستم‌های پردازش سیگنال با مود ترکیبی که در آن‌ها مدارهای آنالوگ و دیجیتال به طور همزمان حضور دارند، طراحی ماژول‌های آنالوگ با چالش‌ فراوانی روبرو است [1-4].
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله تقویت‌کننده‌های ولتاژ پایین بهره بالا با بار خازنی بزرگ در فناوری  CMOS با اندازۀ 90 نانومتری

چکیده انگلیسی

Low-voltage and low-power multistage operational transconductance amplifiers with new and efficient gain boosting and frequency compensation schemes are proposed in this paper. The presented amplifiers are designed to drive large capacitive loads with small power consumption at low-voltage supplies. The compensation schemes exploit a single Miller capacitor and an active feedback to form the main negative feedback loops for pole splitting and two feedforward paths. The new gain boosting technique discussed here improves the dc gain with negligible effect on the frequency response. The analysis and design procedures are discussed and the performance enhancements of the amplifiers are verified. The proposed OTAs have been implemented in a standard 90-nm CMOS process and the post-layout simulation results are reported. The amplifiers consume 8.7 μW and 8.1 μW at 0.5-V supplies and achieve 12.65 MHz and 2 MHz gain-bandwidth products while driving 150-pF and 15-nF capacitive loads, respectively.

خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.