دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 56052
عنوان فارسی مقاله

تکنیک جدید به کمک نوشتن برای طراحی SRAM در تکنولوژی CMOS با 6 نانومتر

کد مقاله سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی تعداد کلمات
56052 2015 12 صفحه PDF سفارش دهید محاسبه نشده
خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
عنوان انگلیسی
A new write assist technique for SRAM design in 65 nm CMOS technology
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Integration, the VLSI Journal, Volume 50, June 2015, Pages 16–27

کلمات کلیدی
طراحی SRAM ؛ تکنولوژی CMOS
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله تکنیک جدید به کمک نوشتن برای طراحی SRAM در تکنولوژی CMOS با 6 نانومتر

چکیده انگلیسی

In this paper, a new write assist technique for SRAM arrays is proposed. In this technique, to improve the write features of the SRAM cell, a negative voltage is applied to one of the bitlines in the SRAM cell while another bitline is connected to a boosted voltage. Improved write features are attributed to the boosting scheme from both sides of the SRAM cell. This technique is applied to a 10T-SRAM cell with transmission-gate access devices. The proposed design gives 2.7×, 2.1× faster write time, 82% and 18% improvement in write margin compared with the standard 8T-SRAM cell with and without write assist, respectively. All simulations have been done in TSMC 65 nm CMOS technology. The proposed write assist technique enables 10T-SRAM cell to operate with 24% lower supply voltage compared with standard 8T-SRAM cell with negative bitline write assist. Due to the improved supply voltage scalability a 33% leakage power reduction is achieved.

خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.