دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 56057
عنوان فارسی مقاله

یک سلول نامتقارن SRAM 6T جدید با کمک روش نوشتن در تکنولوژی CMOS با 65 نانومتر

کد مقاله سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی تعداد کلمات
56057 2014 10 صفحه PDF سفارش دهید محاسبه نشده
خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
عنوان انگلیسی
A new asymmetric 6T SRAM cell with a write assist technique in 65 nm CMOS technology
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Microelectronics Journal, Volume 45, Issue 11, November 2014, Pages 1556–1565

کلمات کلیدی
SRAM؛ CMOS
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله یک سلول نامتقارن SRAM 6T جدید با کمک روش نوشتن در تکنولوژی CMOS با 65 نانومتر

چکیده انگلیسی

A new asymmetric 6T-SRAM cell design is presented for low-voltage low-power operation under process variations. The write margin of the proposed cell is improved by the use of a new write-assist technique. Simulation results in 65 nm technology show that the proposed cell achieves the same RSNM as the asymmetric 5T-SRAM cell and 77% higher RSNM than the standard 6T-SRAM cell while it is able to perform write operation without any write assist at VDD=1 V. Monte Carlo simulations for an 8 Kb SRAM (256×32) array indicate that the scalability of operating supply voltage of the proposed cell can be improved by 10% and 21% compared to asymmetric 5T- and standard 6T-SRAM cells; 21% and 53% lower leakage power consumption, respectively. The proposed 6T-SRAM cell design achieves 9% and 19% lower cell area overhead compared with asymmetric 5T- and standard 6T-SRAM cells, respectively. Considering the area overhead for the write assist, replica column and the replica column driver of 2.6%, the overall area reduction in die area is 6.3% and 16.3% as compared with array designs with asymmetric 5T- and standard 6T-SRAM cells.

خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.