دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 56061
ترجمه فارسی عنوان مقاله

بوش فوق العاده نازک DPN STI SION برای با تکنولوژی CMOS با قدرت کم 40 نانومتر

عنوان انگلیسی
Ultrathin DPN STI SiON liner for 40 nm low-power CMOS technology
کد مقاله سال انتشار تعداد صفحات مقاله انگلیسی ترجمه فارسی
56061 2010 4 صفحه PDF سفارش دهید
دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه

نسخه انگلیسی مقاله همین الان قابل دانلود است.

هزینه ترجمه مقاله بر اساس تعداد کلمات مقاله انگلیسی محاسبه می شود.

این مقاله تقریباً شامل 2347 کلمه می باشد.

هزینه ترجمه مقاله توسط مترجمان با تجربه، طبق جدول زیر محاسبه می شود:

شرح تعرفه ترجمه زمان تحویل جمع هزینه
ترجمه تخصصی - سرعت عادی هر کلمه 12 تومان 5 روز بعد از پرداخت 28,164 تومان
ترجمه تخصصی - سرعت فوری هر کلمه 24 تومان 3 روز بعد از پرداخت 56,328 تومان
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Solid-State Electronics, Volume 54, Issue 5, May 2010, Pages 564–567

ترجمه کلمات کلیدی
STI - SiON - DPN - ISSG - Vcc_min - 6T-SRAM
کلمات کلیدی انگلیسی
STI; SiON; DPN; ISSG; Vcc_min; 6T-SRAM
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله بوش فوق العاده نازک DPN STI SION برای با تکنولوژی CMOS با قدرت کم 40 نانومتر

چکیده انگلیسی

At sub-40 nm CMOS technology nodes, the implementation of shallow trench isolation (STI) becomes more challenging due to shrinking geometries and stricter device leakage requirements. As device geometries are shrinking, STI liner is also becoming thinner and plays an important role for the minimal consumption of device active area while effectively rounding the STI corner and minimizing stress-induced defects. Consequently, STI stress is enhanced by the scaling of STI-pitch, the volume expansion induced by STI liner and film stress of filling materials. This paper discusses the benefits of SiON liner growth by decoupled-plasma-nitridation (DPN) and SiON liner induced stress compared to conventional pure oxide liner growth by in situ steam generation (ISSG). Thin STI SiON liner offers lower sub-threshold leakage current without drive current loss for transistor performance. Moreover, junction leakage current is also reduced with scaling device active area. Thus, better device performance results in better minimum operation voltage (Vcc_min) of low-power 6T-SRAM. This paper demonstrates the influences of thin STI SiON liner growth by DPN in STI manufacture.

دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه

نسخه انگلیسی مقاله همین الان قابل دانلود است.

هزینه ترجمه مقاله بر اساس تعداد کلمات مقاله انگلیسی محاسبه می شود.

این مقاله شامل 2347 کلمه می باشد.

هزینه ترجمه مقاله توسط مترجمان با تجربه، طبق جدول زیر محاسبه می شود:

شرح تعرفه ترجمه زمان تحویل جمع هزینه
ترجمه تخصصی - سرعت عادی هر کلمه 12 تومان 5 روز بعد از پرداخت 28,164 تومان
ترجمه تخصصی - سرعت فوری هر کلمه 24 تومان 3 روز بعد از پرداخت 56,328 تومان
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.