دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 56062
عنوان فارسی مقاله

دیودهای نوری با سرعت بالا در تکنولوژی CMOS با 40 نانومتر استاندارد

کد مقاله سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی تعداد کلمات
56062 2013 7 صفحه PDF سفارش دهید محاسبه نشده
خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
عنوان انگلیسی
High-speed photodiodes in 40 nm standard CMOS technology
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Sensors and Actuators A: Physical, Volume 193, 15 April 2013, Pages 213–219

کلمات کلیدی
دیودهای نوری سیلیکون؛ روند CMOS نانومتری - ارتباطات نوری
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله دیودهای نوری با سرعت بالا در تکنولوژی CMOS با 40 نانومتر استاندارد

چکیده انگلیسی

This work investigates two silicon (Si) photodiodes (PDs) fabricated in 40 nm standard CMOS technology. The basic structure of the proposed Si PD is formed by N+/P-substrate and N-well/P-substrate diodes. The N+/P-substrate PD demonstrates a responsivity of 0.09 A/W and an electrical bandwidth of 3 GHz for 8 V reverse bias at 520 nm. The N-well/P-substrate PD demonstrates a responsivity of 0.24A/W and an electrical bandwidth of 1.2 GHz for 14.8 V reverse bias at 660 nm. For 520 nm, the N-well/P-substrate PD shows a responsivity of 0.18A/W and an electrical bandwidth of 3.0 GHz for 14.8 V reverse bias.

خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.