دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 56068
عنوان فارسی مقاله

سنسور هال عمودی افست فوق العاده پایین در تکنولوژی CMOS

کد مقاله سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی تعداد کلمات
56068 2014 4 صفحه PDF سفارش دهید محاسبه نشده
خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
عنوان انگلیسی
Ultra-low Offset Vertical Hall Sensor in CMOS Technology ☆
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Procedia Engineering, Volume 87, 2014, Pages 732–735

کلمات کلیدی
سنسور CMOS هال؛ سنسور عمودی هال؛ آفست غرامت؛ چرخش فعلی؛ جفت شدگی موازی
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله سنسور هال عمودی افست فوق العاده پایین در تکنولوژی CMOS

چکیده انگلیسی

This paper reports on a novel vertical Hall sensor with ultra-low offset (ULOVHS) for the measurement of an in-plane magnetic field component. The sensor consists of four parallel coupled fully symmetric vertical Hall sensors (FSVHS). Each FSVHS is formed by the connection of four identical three-contact vertical Hall elements (3CVHE). As a result, with a bias current of 0.5 mA and after current switching, a mean residual offset of 0.27 μV with a standard deviation of 0.29 μV has been achieved among 40 samples on an 8-inch wafer, which is an improvement of a factor of 16 compared to the FSVHS (4.2±14 μV). Furthermore, the measured current related sensitivity of the novel device is SI = 12.65 V/AT, allowing the detection of magnetic fields down to Bmin = 40 μT without any additional electrical compensation circuitry. This represents the best results to date achieved by a stand- alone VHS in standard CMOS technology.

خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.