دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 56071
عنوان فارسی مقاله

چالش های ترکیب دو ظرفیتی سیلیکون نیکل در فن آوری های CMOS

کد مقاله سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی تعداد کلمات
56071 2015 9 صفحه PDF سفارش دهید محاسبه نشده
خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
عنوان انگلیسی
Challenges of nickel silicidation in CMOS technologies ☆
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Microelectronic Engineering, Volume 137, 2 April 2015, Pages 79–87

کلمات کلیدی
نقص سیلیسید NISI؛ مقیاس گذاری CMOS ؛ پراش؛
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله چالش های ترکیب دو ظرفیتی سیلیکون نیکل در فن آوری های CMOS

چکیده انگلیسی

In this paper, we review some of the key challenges associated with the Ni silicidation process in the most recent CMOS technologies. The introduction of new materials (e.g. SiGe), and of non-planar architectures bring some important changes that require fundamental investigation from a material engineering perspective. Following a discussion of the device architecture and silicide evolution through the last CMOS generations, we focus our study on a very peculiar defect, termed NiSi-Fangs. We describe a mechanism for the defect formation, and present a detailed material analysis that supports this mechanism. We highlight some of the possible metal enrichment processes of the nickel monosilicide such as oxidation or various RIE (Reactive Ion Etching) plasma process, leading to a metal source available for defect formation. We also investigate the NiSi formation and re-formation silicidation differences between Si and SiGe materials, and between (1 0 0) and (1 1 1) orientations. Finally, we show that the thermal budgets post silicidation can lead to the formation of NiSi-Fangs if the structure and the processes are not optimized. Beyond the understanding of the defect and the discussion on the engineering solutions used to prevent its formation, the interest of this investigation also lies in the fundamental learning within the Ni–Pt–Si–Ge system and some additional perspective on Ni-based contacts to advanced microelectronic devices.

خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.