دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 56071
ترجمه فارسی عنوان مقاله

چالش های ترکیب دو ظرفیتی سیلیکون نیکل در فن آوری های CMOS

عنوان انگلیسی
Challenges of nickel silicidation in CMOS technologies ☆
کد مقاله سال انتشار تعداد صفحات مقاله انگلیسی ترجمه فارسی
56071 2015 9 صفحه PDF سفارش دهید
دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه

نسخه انگلیسی مقاله همین الان قابل دانلود است.

هزینه ترجمه مقاله بر اساس تعداد کلمات مقاله انگلیسی محاسبه می شود.

این مقاله تقریباً شامل 6705 کلمه می باشد.

هزینه ترجمه مقاله توسط مترجمان با تجربه، طبق جدول زیر محاسبه می شود:

شرح تعرفه ترجمه زمان تحویل جمع هزینه
ترجمه تخصصی - سرعت عادی هر کلمه 18 تومان 11 روز بعد از پرداخت 120,690 تومان
ترجمه تخصصی - سرعت فوری هر کلمه 36 تومان 6 روز بعد از پرداخت 241,380 تومان
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Microelectronic Engineering, Volume 137, 2 April 2015, Pages 79–87

ترجمه کلمات کلیدی
نقص سیلیسید NISI؛ مقیاس گذاری CMOS ؛ پراش؛
کلمات کلیدی انگلیسی
NiSi silicide defects; CMOS scaling diffraction; XPS; STS10; XRD
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله چالش های ترکیب دو ظرفیتی سیلیکون نیکل در فن آوری های CMOS

چکیده انگلیسی

In this paper, we review some of the key challenges associated with the Ni silicidation process in the most recent CMOS technologies. The introduction of new materials (e.g. SiGe), and of non-planar architectures bring some important changes that require fundamental investigation from a material engineering perspective. Following a discussion of the device architecture and silicide evolution through the last CMOS generations, we focus our study on a very peculiar defect, termed NiSi-Fangs. We describe a mechanism for the defect formation, and present a detailed material analysis that supports this mechanism. We highlight some of the possible metal enrichment processes of the nickel monosilicide such as oxidation or various RIE (Reactive Ion Etching) plasma process, leading to a metal source available for defect formation. We also investigate the NiSi formation and re-formation silicidation differences between Si and SiGe materials, and between (1 0 0) and (1 1 1) orientations. Finally, we show that the thermal budgets post silicidation can lead to the formation of NiSi-Fangs if the structure and the processes are not optimized. Beyond the understanding of the defect and the discussion on the engineering solutions used to prevent its formation, the interest of this investigation also lies in the fundamental learning within the Ni–Pt–Si–Ge system and some additional perspective on Ni-based contacts to advanced microelectronic devices.

دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه

نسخه انگلیسی مقاله همین الان قابل دانلود است.

هزینه ترجمه مقاله بر اساس تعداد کلمات مقاله انگلیسی محاسبه می شود.

این مقاله شامل 6705 کلمه می باشد.

هزینه ترجمه مقاله توسط مترجمان با تجربه، طبق جدول زیر محاسبه می شود:

شرح تعرفه ترجمه زمان تحویل جمع هزینه
ترجمه تخصصی - سرعت عادی هر کلمه 18 تومان 11 روز بعد از پرداخت 120,690 تومان
ترجمه تخصصی - سرعت فوری هر کلمه 36 تومان 6 روز بعد از پرداخت 241,380 تومان
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.