دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 56083
عنوان فارسی مقاله

خطی بودن بالا، طراحی میکسر RF با قدرت کم در تکنولوژی CMOS با 65 نانومتر

کد مقاله سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی تعداد کلمات
56083 2014 6 صفحه PDF سفارش دهید محاسبه نشده
خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
عنوان انگلیسی
High linearity, low power RF mixer design in 65 nm CMOS technology
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : AEU - International Journal of Electronics and Communications, Volume 68, Issue 9, September 2014, Pages 883–888

کلمات کلیدی
کم قدرت؛ خطی بودن بالا - تکنولوژی 65 نانومتر ؛ شکل سر و صدا؛
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله خطی بودن بالا، طراحی میکسر RF با قدرت کم در تکنولوژی CMOS با 65 نانومتر

چکیده انگلیسی

A design of RF down-conversion Gilbert-Cell, with 65 nm CMOS technology, at a supply voltage of 1.8 V, with a new degenerating structure to improve linearity. This architecture opens the way to more integrated CMOS RF circuits and to achieve a good characteristics in terms of evaluating parameters of RF mixers with a very low power consumption (2.17 mW). At 1.9 GHz RF frequency; obtained results show a third order input intercept point (IIP3) equal to 11.6 dBm, Noise Figure (NF) is 4.12 dB, when conversion gain is 8.75 dB.

خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.