دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 56090
عنوان فارسی مقاله

خصوصیات الکتریکی لایه های سطحی تولیم سیلیس برای ادغام در تکنولوژی CMOS دروازه kبالا/فلزی

کد مقاله سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی تعداد کلمات
56090 2014 6 صفحه PDF سفارش دهید محاسبه نشده
خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
عنوان انگلیسی
Electrical characterization of thulium silicate interfacial layers for integration in high-k/metal gate CMOS technology
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Solid-State Electronics, Volume 98, August 2014, Pages 20–25

کلمات کلیدی
TmSiO؛ LaSiO؛ سیلیکات؛ لایه سطحی - با K بالا
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله خصوصیات الکتریکی لایه های سطحی تولیم سیلیس برای ادغام در تکنولوژی CMOS دروازه kبالا/فلزی

چکیده انگلیسی

This work presents a characterization of the electrical properties of thulium silicate thin films, within the scope of a possible application as IL (interfacial layer) in scaled high-k/metal gate CMOS technology. Silicate formation is investigated over a wide temperature range (500–900 °C) through integration in MOS capacitor structures and analysis of the resulting electrical properties. The results are compared to those obtained from equivalent devices integrating lanthanum silicate interfacial layers. The thulium silicate IL is formed through a gate-last CMOS-compatible process flow, providing IL EOT of 0.1–0.3 nm at low formation temperature and interface state density at flatband condition below 2 × 1011 cm−2 eV−1. The effects of a possible integration in a gate-first process flow with a maximum thermal budget of 1000 °C are also evaluated, achieving an IL EOT of 0.2–0.5 nm, an interface state density at flatband condition ∼1 × 1011 cm−2 eV−1 and a reduction in gate leakage current density of one order of magnitude compared to the same stack without IL.

خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.