دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 56090
ترجمه فارسی عنوان مقاله

خصوصیات الکتریکی لایه های سطحی تولیم سیلیس برای ادغام در تکنولوژی CMOS دروازه kبالا/فلزی

عنوان انگلیسی
Electrical characterization of thulium silicate interfacial layers for integration in high-k/metal gate CMOS technology
کد مقاله سال انتشار تعداد صفحات مقاله انگلیسی ترجمه فارسی
56090 2014 6 صفحه PDF سفارش دهید
دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه

نسخه انگلیسی مقاله همین الان قابل دانلود است.

هزینه ترجمه مقاله بر اساس تعداد کلمات مقاله انگلیسی محاسبه می شود.

این مقاله تقریباً شامل 4401 کلمه می باشد.

هزینه ترجمه مقاله توسط مترجمان با تجربه، طبق جدول زیر محاسبه می شود:

شرح تعرفه ترجمه زمان تحویل جمع هزینه
ترجمه تخصصی - سرعت عادی هر کلمه 12 تومان 8 روز بعد از پرداخت 52,812 تومان
ترجمه تخصصی - سرعت فوری هر کلمه 24 تومان 4 روز بعد از پرداخت 105,624 تومان
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Solid-State Electronics, Volume 98, August 2014, Pages 20–25

ترجمه کلمات کلیدی
TmSiO؛ LaSiO؛ سیلیکات؛ لایه سطحی - با K بالا
کلمات کلیدی انگلیسی
TmSiO; LaSiO; Silicate; Interfacial layer; High-k
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله خصوصیات الکتریکی لایه های سطحی تولیم سیلیس برای ادغام در تکنولوژی CMOS دروازه kبالا/فلزی

چکیده انگلیسی

This work presents a characterization of the electrical properties of thulium silicate thin films, within the scope of a possible application as IL (interfacial layer) in scaled high-k/metal gate CMOS technology. Silicate formation is investigated over a wide temperature range (500–900 °C) through integration in MOS capacitor structures and analysis of the resulting electrical properties. The results are compared to those obtained from equivalent devices integrating lanthanum silicate interfacial layers. The thulium silicate IL is formed through a gate-last CMOS-compatible process flow, providing IL EOT of 0.1–0.3 nm at low formation temperature and interface state density at flatband condition below 2 × 1011 cm−2 eV−1. The effects of a possible integration in a gate-first process flow with a maximum thermal budget of 1000 °C are also evaluated, achieving an IL EOT of 0.2–0.5 nm, an interface state density at flatband condition ∼1 × 1011 cm−2 eV−1 and a reduction in gate leakage current density of one order of magnitude compared to the same stack without IL.

دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه

نسخه انگلیسی مقاله همین الان قابل دانلود است.

هزینه ترجمه مقاله بر اساس تعداد کلمات مقاله انگلیسی محاسبه می شود.

این مقاله شامل 4401 کلمه می باشد.

هزینه ترجمه مقاله توسط مترجمان با تجربه، طبق جدول زیر محاسبه می شود:

شرح تعرفه ترجمه زمان تحویل جمع هزینه
ترجمه تخصصی - سرعت عادی هر کلمه 12 تومان 8 روز بعد از پرداخت 52,812 تومان
ترجمه تخصصی - سرعت فوری هر کلمه 24 تومان 4 روز بعد از پرداخت 105,624 تومان
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.