دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 56098
ترجمه فارسی عنوان مقاله

فن آوری های CMOS با تحرک بالا با استفاده از کانال های III-V/GE بر روی پلت فرم Si

عنوان انگلیسی
High mobility CMOS technologies using III–V/Ge channels on Si platform
کد مقاله سال انتشار تعداد صفحات مقاله انگلیسی ترجمه فارسی
56098 2013 7 صفحه PDF سفارش دهید
دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه

نسخه انگلیسی مقاله همین الان قابل دانلود است.

هزینه ترجمه مقاله بر اساس تعداد کلمات مقاله انگلیسی محاسبه می شود.

این مقاله تقریباً شامل 4573 کلمه می باشد.

هزینه ترجمه مقاله توسط مترجمان با تجربه، طبق جدول زیر محاسبه می شود:

شرح تعرفه ترجمه زمان تحویل جمع هزینه
ترجمه تخصصی - سرعت عادی هر کلمه 12 تومان 8 روز بعد از پرداخت 54,876 تومان
ترجمه تخصصی - سرعت فوری هر کلمه 24 تومان 4 روز بعد از پرداخت 109,752 تومان
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Solid-State Electronics, Volume 88, October 2013, Pages 2–8

ترجمه کلمات کلیدی
MOSFET؛ تحرک؛ فشار؛ Sige؛ GE؛ نیمه رساناهای III-V
کلمات کلیدی انگلیسی
MOSFET; Mobility; Strain; SiGe; Ge; III–V Semiconductors
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله فن آوری های CMOS با تحرک بالا با استفاده از کانال های III-V/GE بر روی پلت فرم Si

چکیده انگلیسی

MOSFETs using channel materials with high mobility and low effective mass have been regarded as strongly important for obtaining high current drive and low supply voltage CMOS under sub 10 nm regime. From this viewpoint, attentions have recently been paid to Ge and III–V channels. In this paper, possible solutions for realizing III–V/Ge MOSFETs on the Si platform are presented. The high quality III–V channel formation on Si substrates can be realized through direct wafer bonding. The gate stack formation is constructed on a basis of atomic layer deposition (ALD) Al2O3 gate insulators for both InGaAs and Ge MOSFETs. As the source/drain (S/D) formation, Ni-based metal S/D is implemented for both InGaAs and Ge MOSFETs. By combining these technologies, we demonstrate successful integration of InGaAs-OI nMOSFETs and Ge p-MOSFETs on a same wafer and their superior device performance.

دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه

نسخه انگلیسی مقاله همین الان قابل دانلود است.

هزینه ترجمه مقاله بر اساس تعداد کلمات مقاله انگلیسی محاسبه می شود.

این مقاله شامل 4573 کلمه می باشد.

هزینه ترجمه مقاله توسط مترجمان با تجربه، طبق جدول زیر محاسبه می شود:

شرح تعرفه ترجمه زمان تحویل جمع هزینه
ترجمه تخصصی - سرعت عادی هر کلمه 12 تومان 8 روز بعد از پرداخت 54,876 تومان
ترجمه تخصصی - سرعت فوری هر کلمه 24 تومان 4 روز بعد از پرداخت 109,752 تومان
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.