دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 56100
عنوان فارسی مقاله

ادغام رسنترس MEMS در تکنولوژی CMOS با 65 نانومتر

کد مقاله سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی تعداد کلمات
56100 2013 4 صفحه PDF سفارش دهید محاسبه نشده
خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
عنوان انگلیسی
Integration of NEMS resonators in a 65 nm CMOS technology
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Microelectronic Engineering, Volume 110, October 2013, Pages 246–249

کلمات کلیدی
NEMS؛ CMOS-NEMS؛ رسنترس؛ RF-MEMS؛ روند انتشار؛ سنسور توده
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله ادغام رسنترس MEMS در تکنولوژی CMOS با 65 نانومتر

چکیده انگلیسی

In this work we study the feasibility to obtain the smallest CMOS-NEMS resonator using a sub-100 nm CMOS technology. The NEMS resonators are defined in a top-down approach using the available layers of the 65 nm CMOS technology from ST Microelectronics. A combination of dry and wet etching is developed in order to release the NEMS in an in-house post-CMOS process. Two different NEMS resonators are designed: 60 nm × 100 nm polysilicon and 90 nm × 180 nm copper clamped–clamped beams. The designed polysilicon CC Beam with a length of 1.5 μm, resonates at 232 MHz and is capable to provide the same mass sensitivity than a bottom-up silicon nanowire.

خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.