دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 56102
عنوان فارسی مقاله

آرایه سنجش لمسی POSFET با استفاده از تکنولوژی CMOS

کد مقاله سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی تعداد کلمات
56102 2013 7 صفحه PDF سفارش دهید محاسبه نشده
خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
عنوان انگلیسی
POSFET tactile sensing arrays using CMOS technology
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Sensors and Actuators A: Physical, Volume 202, 1 November 2013, Pages 226–232

کلمات کلیدی
سنجش لمسی - تراشه سنجش لمسی؛ اکسید در دمای پایین - پیزوالکتریک نیمه هادی اکسید
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله آرایه سنجش لمسی POSFET با استفاده از تکنولوژی CMOS

چکیده انگلیسی

This work presents new tactile sensing chips consisting of 4 × 4 array of POSFET touch sensing devices (or taxels) and 4 diodes to measure contact temperature. In the new version presented here, the tactile sensing chips have been fabricated using CMOS technology. Both, the individual taxels and the array are designed to match spatio-temporal performance of the human fingertips. To detect contact parameters such as contact force, the taxels utilize the contact induced change in the polarization level of piezoelectric polymer (and hence the changes in the induced channel current of MOS). The performance of POSFET device has been evaluated in the dynamic contact forces range of 0.01–3 N. The response of POSFET is linear in the tested range, with the sensitivity (without amplification) of 102.4 mV/N – which is more than twice the response of POSFETs presented earlier.

خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.