دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 56103
عنوان فارسی مقاله

SrHfO3 به عنوان دی الکتریک گیت برای تکنولوژی CMOS آینده

کد مقاله سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی تعداد کلمات
56103 2007 5 صفحه PDF سفارش دهید محاسبه نشده
خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
عنوان انگلیسی
SrHfO3 as gate dielectric for future CMOS technology
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Microelectronic Engineering, Volume 84, Issues 9–10, September–October 2007, Pages 1869–1873

کلمات کلیدی
دی الکتریک گیت بالا κ ؛ ماسفت - شکاف باند و باند آفست؛ تحرک کانال
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله SrHfO3 به عنوان دی الکتریک گیت برای تکنولوژی CMOS آینده

چکیده انگلیسی

Thin epitaxial films of the high-κ perovskite SrHfO3 were grown by molecular beam epitaxy on Si(100) and investigated by ellipsometry and X-ray photoelectron spectroscopy to determine its band gap and valence band offset. Conducting AFM shows a good correlation between topography and current mapping, pointing to direct tunneling conduction. Long channels MOSFETs with low equivalent oxide thickness (EOT) were fabricated and their channel mobility measured. Mobility enhancement can be achieved by post processing annealing in various gases but at the cost of interfacial regrowth. An alternative approach is to increase mobility without changing EOT is by electrically stressing the gate dielectric at ∼150 °C.

خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.