دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 56106
عنوان فارسی مقاله

بررسی آشکارساز اتصال سه گانه در تکنولوژی CMOS با 90 نانومتر

کد مقاله سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی تعداد کلمات
56106 2011 4 صفحه PDF سفارش دهید محاسبه نشده
خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
عنوان انگلیسی
Investigation of triple-junction photodetector in 90 nm CMOS technology
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Procedia Engineering, Volume 25, 2011, Pages 864–867

کلمات کلیدی
آشکارساز؛ آشکارساز رنگ - اتصال سه گانه ؛ عمودی؛ عمق نفوذ؛ CMOS
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله بررسی آشکارساز اتصال سه گانه در تکنولوژی CMOS با 90 نانومتر

چکیده انگلیسی

A triple-junction photodetector for color detection is explored in the wavelength range from 400 nm to 900 nm. According to the mechanism that light with longer wavelength can penetrate silicon deeper than light with shorter wavelength the detector can detect different colors of incident light simultaneously and rather independently. We adopt three vertically stacked photodiodes in the detector, which accurately determine the color of the incident light. In addition, the photodetector can be used as wavelengths division demultiplexer for three different wavelengths in optical data receivers without needing beam splitters or optical filters. The detector is fabricated in a standard 90 nm CMOS technology without any process modifications. Based on the measured results, we conclude that this kind of photodetector can meet the requirements of color detection and of data receivers up to150 Mbit/s.

خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.