دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 56114
ترجمه فارسی عنوان مقاله

رشد لایه های اکسید لانتانیم برای استفاده به عنوان یک دیالکتریک گیت در تکنولوژی CMOS

عنوان انگلیسی
Growth of lanthanum oxide films for application as a gate dielectric in CMOS technology
کد مقاله سال انتشار تعداد صفحات مقاله انگلیسی ترجمه فارسی
56114 2004 6 صفحه PDF سفارش دهید
دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه

نسخه انگلیسی مقاله همین الان قابل دانلود است.

هزینه ترجمه مقاله بر اساس تعداد کلمات مقاله انگلیسی محاسبه می شود.

این مقاله تقریباً شامل 2944 کلمه می باشد.

هزینه ترجمه مقاله توسط مترجمان با تجربه، طبق جدول زیر محاسبه می شود:

شرح تعرفه ترجمه زمان تحویل جمع هزینه
ترجمه تخصصی - سرعت عادی هر کلمه 12 تومان 6 روز بعد از پرداخت 35,328 تومان
ترجمه تخصصی - سرعت فوری هر کلمه 24 تومان 3 روز بعد از پرداخت 70,656 تومان
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Materials Science in Semiconductor Processing, Volume 7, Issues 4–6, 2004, Pages 231–236

ترجمه کلمات کلیدی
MOCVD؛ دی الکتریک بالا κ؛ اکسید لانتانیم؛ ساختار MOS
کلمات کلیدی انگلیسی
MOCVD; High-κ dielectric; Lanthanum oxide; MOS structure
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله رشد لایه های اکسید لانتانیم برای استفاده به عنوان یک دیالکتریک گیت در تکنولوژی CMOS

چکیده انگلیسی

We have investigated properties of insulating lanthanum oxide (La2O3) films in connection with the replacement of silicon oxide (SiO2) gate dielectrics in new generation of CMOS devices. The La2O3 layers were grown using metal organic chemical vapour deposition (MOCVD) at 500 °C. X-ray diffraction analysis revealed polycrystalline character of the films grown above 500 °C. The X-ray photoemission spectroscopy detected lanthanum carbonate as a principal impurity in the films and lanthanum silicate at the interface with silicon. Density of oxide charge, interface trap density, leakage currents and dielectric constant ( κκ) were extracted from the C-VC-V and I-VI-V measurements. Electrical properties, in particular dielectric constant of the MOCVD grown La2O3 are discussed with regard to the film preparation conditions. The as grown film had κ∼11κ∼11. Electrical measurements indicate possible presence of oxygen vacancies in oxide layer. The O2-annealed La2O3 film had κ∼17κ∼17.

دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه

نسخه انگلیسی مقاله همین الان قابل دانلود است.

هزینه ترجمه مقاله بر اساس تعداد کلمات مقاله انگلیسی محاسبه می شود.

این مقاله شامل 2944 کلمه می باشد.

هزینه ترجمه مقاله توسط مترجمان با تجربه، طبق جدول زیر محاسبه می شود:

شرح تعرفه ترجمه زمان تحویل جمع هزینه
ترجمه تخصصی - سرعت عادی هر کلمه 12 تومان 6 روز بعد از پرداخت 35,328 تومان
ترجمه تخصصی - سرعت فوری هر کلمه 24 تومان 3 روز بعد از پرداخت 70,656 تومان
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.