دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 56119
عنوان فارسی مقاله

ترانزیستور اثر میدانی مغناطیسی تخلیه اسپلیت بخش بر اساس تکنولوژی CMOS استاندارد

کد مقاله سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی تعداد کلمات
56119 2005 5 صفحه PDF سفارش دهید محاسبه نشده
خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
عنوان انگلیسی
Sector split-drain magnetic field-effect transistor based on standard CMOS technology
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Sensors and Actuators A: Physical, Volume 121, Issue 2, 30 June 2005, Pages 347–351

کلمات کلیدی
ترانزیستور اثر میدانی مغناطیسی تخلیه اسپلیت (MOSFET)؛ مدل سازی؛ حساسیت
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله ترانزیستور اثر میدانی مغناطیسی تخلیه اسپلیت بخش بر اساس تکنولوژی CMOS استاندارد

چکیده انگلیسی

A novel sector split-drain magnetic field-effect transistor (MAGFET), which is compatible with standard 0.6 μm N-well CMOS technology, has been suggested and an analytical model of the sector MAGFET is also developed. The model of sector MAGFET is focused on the effect of primary geometric parameters to sensor sensitivity. In order to verify the advantage of the sector MAGFET, the sector structure is also compared with traditional rectangle structure by the simulations and the experiments. The maximum sensor sensitivity of 3.77%/T of the sector MAGFET is obtained by the experimental results and improvements of sensitivity are attributed to sector structure.

خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.