دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 56121
عنوان فارسی مقاله

روش تراکم Ge: یک راه حل هم انباشتگی برای SOI GeOI مسطح برای فن آوری های پیشرفته CMOS؟

کد مقاله سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی تعداد کلمات
56121 2008 9 صفحه PDF سفارش دهید محاسبه نشده
خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
عنوان انگلیسی
The Ge condensation technique: A solution for planar SOI/GeOI co-integration for advanced CMOS technologies?
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Materials Science in Semiconductor Processing, Volume 11, Issues 5–6, October 2008, Pages 205–213

کلمات کلیدی
ژرمانیوم 81 - 05 - Hd - 81 - 05 - Zx در عایق - روش تراکم GE؛ بسترهای ترکیبی SOI-GEO
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله روش تراکم Ge: یک راه حل هم انباشتگی برای SOI  GeOI مسطح برای فن آوری های پیشرفته CMOS؟

چکیده انگلیسی

This paper presents a general study on the germanium (Ge) condensation technique to assess its potential, issues and applications for advanced metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) technologies. The interest in such process for fabrication of ultrathin germanium on insulator (GeOI) layers for fully depleted GeOI MOSFETs application is first described. We highlight the impact of initial silicon on insulator (SOI) substrates uniformity on the process, determined as the key parameter to be improved. Next, a global procedure is described for MOSFETs integration on Ge layers grown on 75% Ge-enriched silicon germanium on insulator (SGOI) substrates obtained by the Ge condensation technique. A third section reviews the different local Ge condensation techniques for fabrication of SOI–GeOI hybrid substrates. Interests of such substrates for SOI–GeOI planar co-integration either at the microprocessor, at the cell or at the transistor level will be discussed. Finally, the fabrication of a first 50-nm-thick SOI–GeOI hybrid substrate is described.

خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.