دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 56123
عنوان فارسی مقاله

به سمت اجرای فرآیند نیکل دو ظرفیتی سیلیکون برای فن آوری های CMOS

کد مقاله سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی تعداد کلمات
56123 2003 14 صفحه PDF سفارش دهید محاسبه نشده
خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
عنوان انگلیسی
Towards implementation of a nickel silicide process for CMOS technologies
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Microelectronic Engineering, Volume 70, Issues 2–4, November 2003, Pages 144–157

کلمات کلیدی
سیلیسید نیکل؛ نیسی؛ انتشار؛ فاز غنی فلزی ؛ تراکم؛ ثبات فیلم؛ CoSi2
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله به سمت اجرای فرآیند نیکل دو ظرفیتی سیلیکون برای فن آوری های CMOS

چکیده انگلیسی

In this paper, we review some of the advantages and disadvantages of nickel silicide as a material for the electrical contacts to the source, drain and gate of current and future CMOS devices. We first present some of the limitations imposed on the current cobalt silicide process because of the constant scaling, of the introduction of new substrate geometries (i.e. thin silicon on insulator) and of the modifications to the substrate material (i.e. SiGe). We then discuss the advantages of NiSi and for each of the CoSi2 limitations, we point out why Ni is believed to be superior from the point of view of material properties, miscibility of phases and formation mechanisms. Discussion follows on the expected limitations of NiSi and some of the possible solutions to palliate these limitations.

خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.