دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 56125
عنوان فارسی مقاله

بررسی ایریدیوم به عنوان یک الکترود گیت برای تکنولوژی CMOS زیر میکرون عمیق

کد مقاله سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی تعداد کلمات
56125 2003 4 صفحه PDF سفارش دهید محاسبه نشده
خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
عنوان انگلیسی
Investigation of iridium as a gate electrode for deep sub-micron CMOS technology
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Microelectronic Engineering, Volume 70, Issues 2–4, November 2003, Pages 373–376

کلمات کلیدی
گیت فلزی؛ تابع کار؛ ایریدیوم
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله بررسی ایریدیوم به عنوان یک الکترود گیت برای تکنولوژی CMOS زیر میکرون عمیق

چکیده انگلیسی

The physical and electrical properties of an Ir/SiO2/Si stack were evaluated for advanced gate electrode application. The thermal stability of the stack was studied on MOS capacitors annealed at temperatures between 500 and 1000 °C in N2 ambient for 30 s followed by forming gas anneal (FGA) at 420 °C for 20 min. The work function of iridium, found to be 4.9 eV, is stable up to 900 °C, making it a good candidate as PMOS electrode. In addition, no evidence was found for any chemical reaction at the interface between Ir and SiO2.

خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.