دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 56128
عنوان فارسی مقاله

آرایه حسگر نانوسیمی سیلیکونی با استفاده تکنولوژی CMOS از بالا به پایین

کد مقاله سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی تعداد کلمات
56128 2008 7 صفحه PDF سفارش دهید محاسبه نشده
خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
عنوان انگلیسی
Silicon nanowire sensor array using top–down CMOS technology
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Sensors and Actuators A: Physical, Volumes 145–146, July–August 2008, Pages 207–213

کلمات کلیدی
نانوسیم های سیلیکونی؛ CMOS سازگار؛ حسگر نانو حرارت ؛ ترانزیستورهای اثر میدانی (FET)
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله آرایه حسگر نانوسیمی سیلیکونی با استفاده  تکنولوژی CMOS از بالا به پایین

چکیده انگلیسی

The paper elaborates the silicon nanowire (SiNW) arrays fabrication using standard CMOS compatible technologies (top–down) with each array consisting of 100 wires, which are individually electrically measurable for their conductance and facilitating statistical analysis. To facilitate real-time analysis, the arrays are integrated with micro-fluidics for the delivery of various chemicals for surface modification, buffer solutions, bio-molecules/analytes, etc. The silicon nanowires are also presented as nano-temperature sensors in two configurations, i.e. as resistance temperature detector (RTD) and diode temperature detector (DTD) types. RTD type sensors have shown temperature coefficient of resistance (TCR) values ∼7500 ppm/K which are enhanced beyond 10,000 ppm/K by the application of back-bias. DTD type sensors using nanowires have recorded more than one order variation in reverse-bias current, in the temperature range of 293–373 K. Both the types of nano-temperature sensors are highly sensitive and can be integrated with other bio-chemical sensors in lab-on-chip devices. Nanowire array fabrication details in particular as nano-temperature sensor are elaborated here along with their characterization.

خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.