دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 56138
عنوان فارسی مقاله

تکنولوژی CMOS شبه مسطح انبوه برای مقیاس پذیری SRAM بهبودیافته

کد مقاله سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی تعداد کلمات
56138 2011 7 صفحه PDF سفارش دهید محاسبه نشده
خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
عنوان انگلیسی
Quasi-planar bulk CMOS technology for improved SRAM scalability
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Solid-State Electronics, Volumes 65–66, November–December 2011, Pages 184–190

کلمات کلیدی
تغییرپذیری؛ MOSFET؛ SRAM؛ CMOS
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله تکنولوژی CMOS شبه مسطح  انبوه برای مقیاس پذیری SRAM بهبودیافته

چکیده انگلیسی

A simple approach for manufacturing quasi-planar bulk MOSFET structures is demonstrated and shown to be effective not only for improving device performance but also for reducing variation in 6T-SRAM read and write margins, in an early 28 nm CMOS technology. With optimization of the pocket implant doses, voltage scaling is facilitated. Since its benefits increase with decreasing channel width, quasi-planar bulk MOSFET technology should be advantageous for future CMOS technology generations (22 nm and beyond).

خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.