دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 56144
عنوان فارسی مقاله

اولین دستگاه هال عمودی در تکنولوژی CMOS با 0.35 میکرون استاندارد

کد مقاله سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی تعداد کلمات
56144 2008 6 صفحه PDF سفارش دهید محاسبه نشده
خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
عنوان انگلیسی
First Vertical Hall Device in standard 0.35 μm CMOS technology
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Sensors and Actuators A: Physical, Volume 147, Issue 1, 15 September 2008, Pages 41–46

کلمات کلیدی
اثر هال؛ دستگاه عمودی هال (VHD)؛ تکنولوژی CMOS استاندارد
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله اولین دستگاه هال عمودی در تکنولوژی CMOS با 0.35 میکرون استاندارد

چکیده انگلیسی

In order to lower the short-circuit effect due to the measurement contacts, Vertical Hall Devices (VHDs) are generally designed either in bulky N-type silicon or in the deep N-well of high-voltage CMOS technologies. In this last case, VHD can benefit from on chip circuitry for offset and 1/f noise reduction, but HVCMOS remains a costly technology. Using spinning-current, HVCMOS compatible VHDs with a resolution of 76 μT rms over a 1.6-kHz bandwidth have been demonstrated. The VHD presented here is designed in the shallow N-well of a low-cost 0.35 μm standard CMOS technology. Unlike conventional VHD, its measurement contacts are located outside the sensor active area. FEM simulations and experimental results show that the new geometry suppresses the short-circuit effect and strongly reduces the intrinsic offset and noise. Thus, without any noise and offset reduction method, this new small VHD (63 μm2) reaches a resolution of 79 μT rms over a (5 Hz–1.6 kHz) bandwidth, and opens the way to the integration of 3D Hall sensors in low-cost standard CMOS technologies.

خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.