دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 56146
عنوان فارسی مقاله

حساسیت متقابل حرارت صفحه هال در تکنولوژی CMOS ساب میکرون

کد مقاله سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی تعداد کلمات
56146 2000 5 صفحه PDF سفارش دهید محاسبه نشده
خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
عنوان انگلیسی
Temperature cross-sensitivity of Hall plate in submicron CMOS technology
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Sensors and Actuators A: Physical, Volume 85, Issues 1–3, 25 August 2000, Pages 244–248

کلمات کلیدی
صفحه هال ؛ ضریب دما پیزو هال؛ بسته بندی؛ فشار؛ دقت
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله حساسیت متقابل حرارت صفحه هال در تکنولوژی CMOS ساب میکرون

چکیده انگلیسی

The temperature coefficient of the current-related sensitivity of a Hall plate in submicron CMOS technology was measured. A zero-temperature-coefficient region was observed. A model of the temperature coefficient based on the freeze-out effect and the temperature dependence of the Hall scattering factor was developed. Using a Hall sensor in the observed zero-temperature-coefficient region may significantly improve its measurement accuracy. The additional, very high influence of mechanical stress, due to the piezo-Hall effect, on the temperature coefficient has been analyzed for two packaging techniques.

خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.