دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 56168
ترجمه فارسی عنوان مقاله

دیود حرارتی به حالت تعلیق درآمده (> 300 ° C) با درجه حرارت فوق العاده بالا در تکنولوژی SOI CMOS

عنوان انگلیسی
Ultra-high temperature (>300 °C) suspended thermodiode in SOI CMOS technology
کد مقاله سال انتشار تعداد صفحات مقاله انگلیسی ترجمه فارسی
56168 2010 7 صفحه PDF سفارش دهید
دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه

نسخه انگلیسی مقاله همین الان قابل دانلود است.

هزینه ترجمه مقاله بر اساس تعداد کلمات مقاله انگلیسی محاسبه می شود.

این مقاله تقریباً شامل 4137 کلمه می باشد.

هزینه ترجمه مقاله توسط مترجمان با تجربه، طبق جدول زیر محاسبه می شود:

شرح تعرفه ترجمه زمان تحویل جمع هزینه
ترجمه تخصصی - سرعت عادی هر کلمه 12 تومان 7 روز بعد از پرداخت 49,644 تومان
ترجمه تخصصی - سرعت فوری هر کلمه 24 تومان 4 روز بعد از پرداخت 99,288 تومان
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Microelectronics Journal, Volume 41, Issue 9, September 2010, Pages 540–546

ترجمه کلمات کلیدی
SOI؛ CMOS - دیود حرارتی؛ RTDs؛ سنسور با درجه حرارت بالا؛ سنسور هوشمند
کلمات کلیدی انگلیسی
SOI; CMOS; Thermodiode; RTDs; High temperature sensors; Smart sensors
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله دیود حرارتی به حالت تعلیق درآمده (> 300 ° C) با درجه حرارت فوق العاده بالا در تکنولوژی SOI CMOS

چکیده انگلیسی

This paper reports for the first time on the performance and long-term stability of a silicon on insulator (SOI) thermodiode with tungsten metallization, suspended on a dielectric membrane, at temperatures beyond 300 °C. The thermodiode has been designed and fabricated with minute saturation currents (due to both small size and the use of SOI technology) to allow an ultra-high temperature range and minimal non-linearity. It was found that the thermodiode forward voltage drop versus temperature plot remains linear up to 500 °C, with a non-linearity error of less than 7%. Extensive experimental results on performance of the thermodiode that was fabricated using a Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) SOI process are presented. These results are backed up by infrared measurements and a range of 2-D (dimension) and 3-D simulations using ISE and ANSYS software. The on-chip drive electronics for the thermodiode and the micro-heater, as well as the sensor transducing circuit were placed adjacent to the membrane. We demonstrate that the thermodiode is considerably more reliable in long-term direct current operation at high temperatures when compared to the more classical resistive temperature detectors (RTDs) using CMOS metallization layers (tungsten or aluminum). We also compare a membrane thermodiode with a reference thermodiode placed on the silicon substrate and assess their relative performance at elevated temperatures. The experimental results from this comparison confirm that the thermodiode suffers minimal piezo-junction/piezo-resistive effects.

دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه

نسخه انگلیسی مقاله همین الان قابل دانلود است.

هزینه ترجمه مقاله بر اساس تعداد کلمات مقاله انگلیسی محاسبه می شود.

این مقاله شامل 4137 کلمه می باشد.

هزینه ترجمه مقاله توسط مترجمان با تجربه، طبق جدول زیر محاسبه می شود:

شرح تعرفه ترجمه زمان تحویل جمع هزینه
ترجمه تخصصی - سرعت عادی هر کلمه 12 تومان 7 روز بعد از پرداخت 49,644 تومان
ترجمه تخصصی - سرعت فوری هر کلمه 24 تومان 4 روز بعد از پرداخت 99,288 تومان
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.