دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 56190
عنوان فارسی مقاله

بهینه سازی ترانزیستور برای یک فناوری CMOS میکرومتر 0.13 با هزینه پایین و با کارایی بالا

کد مقاله سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی تعداد کلمات
56190 2002 5 صفحه PDF سفارش دهید محاسبه نشده
خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
عنوان انگلیسی
Transistor optimisation for a low cost, high performance 0.13 μm CMOS technology
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Solid-State Electronics, Volume 46, Issue 7, July 2002, Pages 959–963

کلمات کلیدی
پردازش CMOS ؛ کاشت یون؛ BF2 کاشت یون؛
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله بهینه سازی ترانزیستور برای یک فناوری CMOS میکرومتر 0.13 با هزینه پایین و با کارایی بالا

چکیده انگلیسی

This paper discusses the optimisation of a high performance, low cost 0.13 μm CMOS technology with a view on its further scaling to the 100 nm technology node. The focus is mainly on gate oxide (thickness and nitridation method), deep junction implants and annealing. It is shown that in order to take the full benefit of gate oxide thinning, low energy boron implants and spike rapid thermal anneal are mandatory for pMOS devices. The same route gives also promising results for nMOS transistors when gate predoping is used to reduce gate depletion.

خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.