دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 56193
عنوان فارسی مقاله

نیترید سیلیکون فوق العاده نازک با رسوب شیمیایی بخار سیم داغ (HWCVD) برای فن آوری های CMOS عمیق زیر میکرون

کد مقاله سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی تعداد کلمات
56193 2002 5 صفحه PDF سفارش دهید محاسبه نشده
خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
عنوان انگلیسی
Ultra-thin silicon nitride by hot wire chemical vapor deposition (HWCVD) for deep sub-micron CMOS technologies
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Microelectronic Engineering, Volumes 61–62, July 2002, Pages 625–629

کلمات کلیدی
نیترید سیلیکون با دمای پایین ؛دی الکتریک K بالا ؛ HWCVD
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله نیترید سیلیکون فوق العاده نازک با رسوب شیمیایی بخار سیم داغ (HWCVD) برای فن آوری های CMOS عمیق زیر میکرون

چکیده انگلیسی

Silicon nitride is considered a promising candidate to replace thermal oxide dielectrics, as the latter is reaching its scaling limits due to the excessive increase in the gate tunneling leakage current. The novel hot wire chemical vapor deposition (HWCVD) technique shows promise for gate quality silicon nitride film yields at 250 °C while maintaining their primary advantage of a higher dielectric constant of 7.1. In this paper we report the results of our efforts towards developing ultra-thin HWCVD silicon nitride as an advanced gate dielectric for the replacement of thermal gate oxides in future generations of ultra large scale integration (ULSI) devices.

خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.