دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 57803
عنوان فارسی مقاله

نگرانی قابلیت اطمینان و طراحی برای ترانزیستور دو قطبی دروازه عایق جانبی بر اساس لایه SOI

کد مقاله سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی تعداد کلمات
57803 2013 8 صفحه PDF سفارش دهید محاسبه نشده
خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
عنوان انگلیسی
Reliability concern and design for the lateral insulator gate bipolar transistor based on SOI substrate
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Solid-State Electronics, Volume 85, July 2013, Pages 28–35

کلمات کلیدی
مسائل قابلیت اطمینان؛ طرح؛ ترانزیستور دو قطبی دروازه عایق جانبی
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله نگرانی قابلیت اطمینان و طراحی برای ترانزیستور دو قطبی دروازه عایق جانبی بر اساس لایه SOI

چکیده انگلیسی

In this paper, the reliability issues of the lateral insulator gate bipolar transistor based on SOI substrate (SOI-LIGBT), including the anode punch-through, the terminal early breakdown, the hot-carrier degradation and the latch-up failure, have been experimentally investigated and improved. The measurement results and the T-CAD simulations demonstrate that the proposed device owns higher reliability, which can be applied well as the output driver device of the power ICs.

خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.