دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 78613
عنوان فارسی مقاله

مدل تحلیلی برای پتانسیل کانال، ولتاژ آستانه، و نوسان زیرآستانه از FinFETs سه دروازه junctionless

کد مقاله سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی تعداد کلمات
78613 2016 6 صفحه PDF سفارش دهید محاسبه نشده
خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
عنوان انگلیسی
Analytical models for channel potential, threshold voltage, and subthreshold swing of junctionless triple-gate FinFETs
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Microelectronics Journal, Volume 50, April 2016, Pages 60–65

کلمات کلیدی
دستگاه های نیمه هادی؛ تحلیلی؛ MOSFET؛ مدلسازی و شبیه سازی
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله مدل تحلیلی برای پتانسیل کانال، ولتاژ آستانه، و نوسان زیرآستانه از FinFETs سه دروازه junctionless

چکیده انگلیسی

Analytical models for channel potential, threshold voltage, and subthreshold swing of the short-channel fin-shaped field-effect transistor (FinFET) are obtained. The analytical model results are verified against simulations and good agreements are observed. Analytical expressions for subthreshold swing, drain induced barrier lowering effect, and threshold voltage roll-off characteristics are presented. The explicit expressions for threshold voltage and subthreshold swing make the model useful in the practical applications of the device.

خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.