دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 83808
کد مقاله سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی تعداد کلمات
83808 2018 8 صفحه PDF سفارش دهید 2273 کلمه
خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
عنوان انگلیسی
A wafer-scaled III-V vertical FET fabrication by means of plasma etching
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Microelectronic Engineering, Volume 192, 15 May 2018, Pages 14-18

پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله
خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.