دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 56104
عنوان فارسی مقاله

تعصب بهینه ترانزیستور قدرت در تکنولوژی CMOS با 0.18 میکرون برای استفاده بلوتوث

کد مقاله سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی تعداد کلمات
56104 2006 4 صفحه PDF سفارش دهید محاسبه نشده
خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
عنوان انگلیسی
Optimum bias of power transistor in 0.18 μm CMOS technology for Bluetooth application
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Solid-State Electronics, Volume 50, Issue 3, March 2006, Pages 412–415

کلمات کلیدی
بلوتوث؛ تکنولوژی CMOS - سیگنال بزرگ ؛ تعصب بهینه؛ ترانزیستور قدرت
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله تعصب بهینه ترانزیستور قدرت در تکنولوژی CMOS با 0.18 میکرون برای استفاده بلوتوث

چکیده انگلیسی

Based on the proposed silicon integrated power transistor adopting a 0.18 μm technology, its performance shows this novel device can be operated at 2.4 GHz for Bluetooth and lithium battery applications [Hsu H-M, Su J-G, Chen C-W, Tang DD, Chen CH, Sun JY-C. Integrated power transistor in 0.18 μm CMOS technology for RF system-on-chip applications. IEEE Trans Microwave Theory Tech 2002;50(December):2873–81]. After executing matrix measurement of large-signal characteristics, the optimal quiescent point can be found, and the associated large-signal performance exhibits a maximum output power with 21.26 dBm, corresponding to a value of 44.3% for power added efficiency (PAE). Therefore, this device can be used in handholds for short-distance, low-power, and high-frequency operation.

خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.