دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 42437
عنوان فارسی مقاله

مهندسی ReRAM برای مصارف چگالی زیاد

کد مقاله سال انتشار مقاله انگلیسی ترجمه فارسی تعداد کلمات
42437 2015 6 صفحه PDF سفارش دهید محاسبه نشده
خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
عنوان انگلیسی
Engineering ReRAM for high-density applications
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Microelectronic Engineering, Volume 147, 1 November 2015, Pages 145–150

کلمات کلیدی
حافظه مقاومتی - استقامت - سر و صدا - تنوع - نقطه متقابل
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله مهندسی ReRAM برای مصارف چگالی زیاد

چکیده انگلیسی

Resistive random access memory (ReRAM) devices are emerging candidates for the next generation of nonvolatile high-density memory (Sills et al., 2014). The value proposition for this technology is bit alterability, high speed operation, long retention and high endurance. In addition, low-power and low-current operation is highly desirable for high-density memory systems targeting the growing mobile market. This paper presents various challenges in engineering a ReRAM cell suitable for high-density applications such as material selection, programming algorithms, noise issues and scaling path.

خرید مقاله
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.