دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 151758
ترجمه فارسی عنوان مقاله

مدل ممریستور عمومی و برنامه های کاربردی آن در مدارهای آنالوگ قابل برنامه ریزی

عنوان انگلیسی
A general memristor model and its applications in programmable analog circuits
کد مقاله سال انتشار تعداد صفحات مقاله انگلیسی
151758 2017 18 صفحه PDF
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Neurocomputing, Volume 267, 6 December 2017, Pages 134-140

ترجمه کلمات کلیدی
ممریستور، عملکرد پنجره عمومی، پارامترهای قابل تنظیم رزولوشن عالی، مدارهای آنالوگ قابل برنامه ریزی،
کلمات کلیدی انگلیسی
Memristor; General window function; Adjustable parameters; Fine-resolution; Programmable analog circuits;
ترجمه چکیده
این مقاله بر ارائه یک مدل جدید ممریستور با عملکرد پنجره عمومی تمرکز دارد. سه پارامتر قابل تنظیم به گونه ای معرفی می شوند که انعطاف پذیر تر باشد. دیده می شود که چندین توابع پنجره شناخته شده، موارد خاصی از عملکرد پنجره عمومی هستند. بعضی از مسائل (مثلا قفل مرز و مقیاس پذیری محدود) که در مدل های قبلی ممریستور دیده می شوند، به طور موثر حل می شوند. علاوه بر این، مقاومت قابل برنامه ریزی با وضوح بالا با کنترل پارامترهای مدل مریستر کلی به دست می آید. فیلتر آنالوگ قابل برنامه ریزی و آمپلی فایر تقویت شده در نهایت برای نشان دادن کاربردهای مدل ممریستور توسعه داده شده است.
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله  مدل ممریستور عمومی و برنامه های کاربردی آن در مدارهای آنالوگ قابل برنامه ریزی

چکیده انگلیسی

This paper focuses on presenting a new memristor model with a general window function. Three adjustable parameters are introduced such that it is more flexible. It is seen that several well-known window functions are the special cases of the general window function. Some issues (e.g., the boundary lock and limited scalability) encountered in previously reported memristor models are thus efficiently resolved. Furthermore, fine-resolution programmable resistance is achieved by controlling the parameters of the general memristor model. The programmable analog filter and gain amplifier are finally implemented to illustrate the applications of the developed memristor model.