دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 153762
ترجمه فارسی عنوان مقاله

نشاسته به عنوان یونی گری دی الکتریک برای ترانزیستورهای فیلم نازک اکسید

عنوان انگلیسی
Starch as ion-based gate dielectric for oxide thin film transistors
کد مقاله سال انتشار تعداد صفحات مقاله انگلیسی
153762 2017 21 صفحه PDF
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Organic Electronics, Volume 45, June 2017, Pages 203-208

ترجمه کلمات کلیدی
نشاسته، الکتریکی دو لایه، ترانزیستور،
کلمات کلیدی انگلیسی
Starch; Electric-double-layer; Transistor;
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله  نشاسته به عنوان یونی گری دی الکتریک برای ترانزیستورهای فیلم نازک اکسید