دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 144422
ترجمه فارسی عنوان مقاله

اثر ترکیب عایق پلیمر بر بهبود عملکرد ترانزیستورهای پلی (3-هگزیلوتیوفن)

عنوان انگلیسی
Effect of blending polymer insulators on the improvement of the performance of poly(3-hexylthiophene) transistors
کد مقاله سال انتشار تعداد صفحات مقاله انگلیسی ترجمه فارسی
144422 2017 42 صفحه PDF سفارش دهید
دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
تولید محتوا برای سایت شما
پایگاه ISIArticles آمادگی دارد با همکاری مجموعه «شهر محتوا» با بهره گیری از منابع معتبر علمی، برای کتاب، سایت، وبلاگ، نشریه و سایر رسانه های شما، به زبان فارسی «تولید محتوا» نماید.
  • تولید محتوا با مقالات ISI برای سایت یا وبلاگ شما
  • تولید محتوا با مقالات ISI برای کتاب شما
  • تولید محتوا با مقالات ISI برای نشریه یا رسانه شما
  • و...

پیشنهاد می کنیم کیفیت محتوای سایت خود را با استفاده از منابع علمی، افزایش دهید.

منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Thin Solid Films, Volume 638, 30 September 2017, Pages 441-447

ترجمه کلمات کلیدی
پلی (3-هگزیل تیوفن)، ترانزیستور، عایق پلیمر،
کلمات کلیدی انگلیسی
Poly(3-hexylthiophene); Transistor; Polymer insulator;
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله اثر ترکیب عایق پلیمر بر بهبود عملکرد ترانزیستورهای پلی (3-هگزیلوتیوفن)

چکیده انگلیسی

This study investigated the correlations between the microstructure and electrical properties of regioregular poly(3-hexylthiophene) (rr-P3HT) blended with polystyrene, poly(vinyl phenol), or poly(methyl methacrylate) (PMMA) thin-film transistors (TFTs). Compared with pure rr-P3HT TFT, the blended rr-P3HT TFTs exhibited superior characteristics such as higher on/off current ratio of approximately 104, lower leakage current of < 10− 11 A, smaller sub-threshold swing of approximately 2.09 V/dec, and higher mobility of approximately 8.18 × 10− 3 cm2/Vs. The suppression of the leakage current of the sub-threshold and off regimes may be attributed to the enhanced oxygen/humidity resistance of blended rr-P3HT TFTs. The evaluation of the physical properties showed that polymer insulators positively contributed to the morphology, molecular orientation, and effective conjugated length of the rr-P3HT film, thereby enhancing the device characteristics. The hybrid Al2O3/PMMA gate insulator was also utilized to apply low-voltage TFTs with rr-P3HT/polymer blends and yielded a low operation voltage of − 2 V.

دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.