دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 43493
ترجمه فارسی عنوان مقاله

مطالعه شبیه سازی تحرک الکترون در ترانزیستورهای اثر میدانی عایق فلزی نیمه رسانا MoS2 چندلایه ای

عنوان انگلیسی
Simulation study of the electron mobility in few-layer MoS2 metal–insulator-semiconductor field-effect transistors
کد مقاله سال انتشار تعداد صفحات مقاله انگلیسی
43493 2015 5 صفحه PDF
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Solid-State Electronics, Volume 114, December 2015, Pages 30–34

ترجمه کلمات کلیدی
تحرک - چند لایه - دستگاه های نیمه هادی
کلمات کلیدی انگلیسی
MoS2; Mobility; Multilayer; Semiconductor devices
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله  مطالعه شبیه سازی تحرک الکترون در ترانزیستورهای اثر میدانی عایق فلزی نیمه رسانا MoS2 چندلایه ای

چکیده انگلیسی

This work analyzes the electron mobility in few-layer MoS2-based metal–insulator-semiconductor field-effect transistors. To do it, the Poisson and Schrödinger equations are self consistently solved using the effective mass approximation to model the six equivalent ΛΛ valleys characteristic of multilayer MoS2. The mobility is calculated using the Kubo-Greenwood approach under the momentum relaxation time approximation. The influence of the semiconductor thickness, the temperature and the bias conditions are analyzed. A good agreement with the experimental results presented in the literature is achieved, with electron mobilities ranging between 140 and 200cm2V-1s-1 at T=300K.