دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 153573
ترجمه فارسی عنوان مقاله

ترانزیستورهای میدان مغناطیسی فیزیکی بر اساس گرافن به صورت الکتروشیمیایی پردازش شده با محلول

عنوان انگلیسی
Ferroelectric field-effect transistors based on solution-processed electrochemically exfoliated graphene
کد مقاله سال انتشار تعداد صفحات مقاله انگلیسی
153573 2018 16 صفحه PDF
منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Solid-State Electronics, Volume 144, June 2018, Pages 90-94

ترجمه کلمات کلیدی
گرافن الکتروشیمیایی اشباع شده، فلوئور، ترانزیستور میدان اثر، حافظه، گرافن،
کلمات کلیدی انگلیسی
Electrochemically exfoliated graphene; Ferroelectric; Field-effect transistor; Memory; Graphene;
پیش نمایش مقاله
پیش نمایش مقاله  ترانزیستورهای میدان مغناطیسی فیزیکی بر اساس گرافن به صورت الکتروشیمیایی پردازش شده با محلول

چکیده انگلیسی

Memories based on graphene that could be mass produced using low-cost methods have not yet received much attention. Here we demonstrate graphene ferroelectric (dual-gate) field effect transistors. The graphene has been obtained using electrochemical exfoliation of graphite. Field-effect transistors are realized using a monolayer of graphene flakes deposited by the Langmuir-Blodgett protocol. Ferroelectric field effect transistor memories are realized using a random ferroelectric copolymer poly(vinylidenefluoride-co-trifluoroethylene) in a top gated geometry. The memory transistors reveal ambipolar behaviour with both electron and hole accumulation channels. We show that the non-ferroelectric bottom gate can be advantageously used to tune the on/off ratio.