ترجمه فارسی عنوان مقاله
اثر استرس تعصب دروازه در ترانزیستورهای میدان مغناطیسی کربن تک کانال
عنوان انگلیسی
Gate bias stress effect in single-walled carbon nanotubes field-effect-transistors
| کد مقاله | سال انتشار | تعداد صفحات مقاله انگلیسی |
|---|---|---|
| 153723 | 2018 | 4 صفحه PDF |
منبع
Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)
Journal : Diamond and Related Materials, Volume 84, April 2018, Pages 62-65
ترجمه کلمات کلیدی
ترانزیستور اثر میدان مغناطیسی تک کربن، اثر استرس، دولت تله، سنسورهای نانو،
کلمات کلیدی انگلیسی
Single carbon nanotube field effect transistor; Stress effect; Trap states; Nano sensors;
پیش نمایش مقاله
