دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 57608
ترجمه فارسی عنوان مقاله

اثر دوپینگ آگ و لایه بافر عایق بر روی مکانیسم حافظه نانو کامپوزیت های پلیمری

عنوان انگلیسی
Effect of Ag doping and insulator buffer layer on the memory mechanism of polymer nanocomposites
کد مقاله سال انتشار تعداد صفحات مقاله انگلیسی ترجمه فارسی
57608 2015 8 صفحه PDF سفارش دهید
دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
تولید محتوا برای سایت شما
پایگاه ISIArticles آمادگی دارد با همکاری مجموعه «شهر محتوا» با بهره گیری از منابع معتبر علمی، برای کتاب، سایت، وبلاگ، نشریه و سایر رسانه های شما، به زبان فارسی «تولید محتوا» نماید.
  • تولید محتوا با مقالات ISI برای سایت یا وبلاگ شما
  • تولید محتوا با مقالات ISI برای کتاب شما
  • تولید محتوا با مقالات ISI برای نشریه یا رسانه شما
  • و...

پیشنهاد می کنیم کیفیت محتوای سایت خود را با استفاده از منابع علمی، افزایش دهید.

منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Solid-State Electronics, Volume 109, July 2015, Pages 82–89

چکیده انگلیسی

Resistive memory devices based on nanocomposites have attracted great potential for future applications in electronic and optoelectronic devices. The successful synthesis of aqueous CdSe nanoparticles has been provided with UV–Vis and Photoluminescence spectroscopy. The two terminal planar devices of CdSe nanocomposite have been fabricated. The effect of Ag doping and additional dielectric buffer layers on the memory devices have been studied by current–voltage (I–V) and capacitance–voltage (C–V) measurements. The devices show hysteresis loops in both positive and negative bias directions. The memory window has been found to be increased with both Ag doping and PVA layer addition. The charge carrier transport mechanism in the memory devices has been studied by fitting the I–V characteristics with the theoretical model, Space charge conduction model (SCLC). C–V hysteresis loop in both positive and negative bias directions indicate that both the electrons and holes are responsible for memory mechanism of the devices. The switching mechanism of the memory devices has been explained by charge trapping/detrapping model. The retention characteristics show good stability and reliability of the devices.

دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.