دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 57630
ترجمه فارسی عنوان مقاله

فعال سازی و غیرفعال کردن فسفر در بستر سیلیکون بر روی مقره

عنوان انگلیسی
Activation and deactivation of phosphorus in silicon-on-insulator substrates
کد مقاله سال انتشار تعداد صفحات مقاله انگلیسی ترجمه فارسی
57630 2016 4 صفحه PDF سفارش دهید
دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
تولید محتوا برای سایت شما
پایگاه ISIArticles آمادگی دارد با همکاری مجموعه «شهر محتوا» با بهره گیری از منابع معتبر علمی، برای کتاب، سایت، وبلاگ، نشریه و سایر رسانه های شما، به زبان فارسی «تولید محتوا» نماید.
  • تولید محتوا با مقالات ISI برای سایت یا وبلاگ شما
  • تولید محتوا با مقالات ISI برای کتاب شما
  • تولید محتوا با مقالات ISI برای نشریه یا رسانه شما
  • و...

پیشنهاد می کنیم کیفیت محتوای سایت خود را با استفاده از منابع علمی، افزایش دهید.

منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Materials Science in Semiconductor Processing, Volume 42, Part 2, February 2016, Pages 219–222

ترجمه کلمات کلیدی
فسفر، فعال سازی غیرفعال کردن، سیلیکون روی مقره، آنزیم لیزر اکسیمر
کلمات کلیدی انگلیسی
Phosphorus; Activation; Deactivation; Silicon-on-insulator; Excimer laser annealing

چکیده انگلیسی

Phosphorus that had been implanted into silicon-on-insulator (SOI) substrates was activated using different annealing techniques to investigate phosphorus deactivation at low temperatures. A combination of amorphization and excimer laser annealing (ELA) greatly enhanced phosphorus activation. However, heavy doping with phosphorus reduced the thickness of the amorphous layer. Furnace annealing at 350 °C following ELA induced significant deactivation and the deactivation behavior was similar to that following rapid thermal annealing (RTA). The temperature-dependence of phosphorus deactivation in samples that were implanted with a dose of 5×1016 cm−2 showed a transition at 400 °C. The deactivation behavior was more sensitive to temperature below 400 °C than above it. Samples with an implantation dose of 5×1015 cm−2 exhibited only a weak temperature-dependence of deactivation at temperatures above 400 °C, implying that the transition of temperature-dependence is caused by the change of the deactivation mechanism with the phosphorus activation level.

دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.