دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 57632
ترجمه فارسی عنوان مقاله

تجزیه و تحلیل وابستگی خواص ترانزیستور نازک روی دی اکسید گالوانیزه روی دیواره یونیتی با استفاده از یک ساختار عایق گیت دو پشته

عنوان انگلیسی
Analysis of the dependence of indium–gallium–zinc oxide thin-film transistor properties on the gate interface material using a two-stack gate-insulator structure
کد مقاله سال انتشار تعداد صفحات مقاله انگلیسی ترجمه فارسی
57632 2015 4 صفحه PDF سفارش دهید
دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
تولید محتوا برای سایت شما
پایگاه ISIArticles آمادگی دارد با همکاری مجموعه «شهر محتوا» با بهره گیری از منابع معتبر علمی، برای کتاب، سایت، وبلاگ، نشریه و سایر رسانه های شما، به زبان فارسی «تولید محتوا» نماید.
  • تولید محتوا با مقالات ISI برای سایت یا وبلاگ شما
  • تولید محتوا با مقالات ISI برای کتاب شما
  • تولید محتوا با مقالات ISI برای نشریه یا رسانه شما
  • و...

پیشنهاد می کنیم کیفیت محتوای سایت خود را با استفاده از منابع علمی، افزایش دهید.

منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Displays, Volume 39, October 2015, Pages 100–103

ترجمه کلمات کلیدی
ترانزیستور فیلم نازک، اکسید روی گالیم، عایق دروازه، رابط
کلمات کلیدی انگلیسی
Thin film transistor; Indium gallium zinc oxide; Gate insulator; Interface

چکیده انگلیسی

To study the interface effects on the device performance, we fabricated indium–gallium–zinc oxide (IGZO) thin-film transistors (TFTs) with a two-stack gate-insulator structure. The two-stack gate insulator was composed of a thick main insulator and a thin interfacial insulator; the main insulator determines the effective permittivity of the gate insulator, and the interfacial insulator regulates the gate/active interface properties. The a-IGZO TFTs had about 10 cm2 V−1 s−1 field effect mobility (μFE) values and 107–108 switching ratios. The dependences of μFE and threshold voltage, VTH, on the channel width to length ratio were different according to the electron affinity, χ, of the interfacial insulator. The contact resistance between the source/drain electrode and the active layer, and the electron-injection barrier height from the active layer to the interfacial gate insulator layer could explain this finding. In this work, we successfully demonstrated the method to distinguish the interface-related phenomena from the insulator permittivity-related phenomena.

دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.