دانلود مقاله ISI انگلیسی شماره 57636
ترجمه فارسی عنوان مقاله

ولتاژ و ظرفیت ولتاژ جریان الکتریکی مشخصات الکترومغناطیسی الکترونیکی شاتکی به سیلیس بر روی مقره در محدوده دما

عنوان انگلیسی
Current–voltage and capacitance–voltage characteristics of Al Schottky contacts to strained Si-on-insulator in the wide temperature range
کد مقاله سال انتشار تعداد صفحات مقاله انگلیسی ترجمه فارسی
57636 2015 10 صفحه PDF سفارش دهید
دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.
تولید محتوا برای سایت شما
پایگاه ISIArticles آمادگی دارد با همکاری مجموعه «شهر محتوا» با بهره گیری از منابع معتبر علمی، برای کتاب، سایت، وبلاگ، نشریه و سایر رسانه های شما، به زبان فارسی «تولید محتوا» نماید.
  • تولید محتوا با مقالات ISI برای سایت یا وبلاگ شما
  • تولید محتوا با مقالات ISI برای کتاب شما
  • تولید محتوا با مقالات ISI برای نشریه یا رسانه شما
  • و...

پیشنهاد می کنیم کیفیت محتوای سایت خود را با استفاده از منابع علمی، افزایش دهید.

منبع

Publisher : Elsevier - Science Direct (الزویر - ساینس دایرکت)

Journal : Materials Science in Semiconductor Processing, Volume 39, November 2015, Pages 390–399

چکیده انگلیسی

The electrical characteristics of Al/strained Si-on-insulator (sSOI) Schottky diode have been investigated using current–voltage (I–V) and capacitance–voltage (C–V) measurements in the wide temperature range of 200–400 K in steps of 25 K. It was found that the barrier height (0.57–0.80 eV) calculated from the I–V characteristics increased and the ideality factor (1.97–1.28) decreased with increasing temperature. The barrier heights determined from the C–V measurements were higher than those extracted from the I–V measurements, associated with the formation of an inhomogeneous Schottky barrier at the interface. The series resistance estimated from the forward I–V characteristics using Cheung and Norde methods decreased with increasing temperature, implying its strong temperature dependence. The observed variation in barrier height and ideality factor could be attributed to the inhomogeneities in Schottky barrier, explained by assuming Gaussian distribution of barrier heights. The temperature-dependent I–V characteristics showed a double Gaussian distribution with mean barrier heights of 0.83 and 1.19 eV and standard deviations of 0.10 and 0.16 eV at 200–275 and 300–400 K, respectively. From the modified Richardson plot, the modified Richardson constant were calculated to be 21.8 and 29.4 A cm−2 K−2 at 200–275 and 300–400 K, respectively, which were comparable to the theoretical value for p-type sSOI (31.6 A cm−2 K−2).

دانلود فوری مقاله + سفارش ترجمه
پس از پرداخت، فوراً می توانید مقاله را دانلود فرمایید.